简介：由于LED技术的进步，LED应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之LED照明产品。然而由于高功率LED输入功率仅有15至20％转换成光，其余80至85％则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那么将会使LED晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿命。
简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。
高功率LED散热基板发展趋势
功率肖特基二极管静电损伤分析
