简介:目的:建立一种种植义齿手术误差测量分析方法。方法:14例患者,男性5例,女性9例,平均年龄40.9岁,24颗种植体。利用快速成型技术加工患者工作模型进行模拟手术,植入种植体安装愈合基台,制作手术导板并进行种植手术,整合模拟手术和种植手术术后CT图像数据。计算拟合生成愈合基台中心线作为术前设计种植体的轴线,轴线与愈合基台顶面的交点,然后向根方分别截取愈合基台和种植体的实际长度,交点是术前设计种植体的根尖点和进入点。计算术后实际植入种植体中心线确定为术后实际种植体的轴线,轴线与种植体尖端平面的交点是实际植入种植体的根尖点,由此点向冠方截取种植体的实际长度,交点是实际植入的种植体进入点。相对应标志点间的空间距离为手术距离误差,轴线间夹角为手术轴向误差。结果:工作模型图像与CT图像准确整合,种植体上缘中心点误差为0.54±0.43mm,尖端中心点误差为1.58±0.74mm,轴向误差小于10°。结论:图像拟合准确,使用数学计算方法找出的标志点是唯一的,此方法重复性好,适于评价种植手术前后之间的误差。
简介:摘要:集成电路(IC)是电子设备EMC问题中的关键要素,它们既是干扰源又是被干扰的对象。尽管半导体器件不受欧洲EMC指令或FCC 15等EMC法规约束,但集成电路终端用户将电子设备级的EMC限制延伸到芯片级,迫使集成电路研发人员在芯片设计之初就必须考虑电磁兼容问题。同时,随着集成电路的快速发展,MOS器件尺寸的不断缩小,同一电路或封装内异构功能的集成度以及数据交换速率得到不断提高。这些技术进步使集成电路可靠性面临巨大挑战,也促进了集成电路电磁兼容技术的快速发展。40多年来,研究人员和工程师们致力于提高集成电路的电磁兼容性能,不断在测量方法、预测寿命和设计技术等领域展开研究,旨在促进低辐射和高抗扰集成电路的发展。