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  • 简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明功率因数校正器设计中,采用SiC二极管只是高开关频率时才是合算的。

  • 标签: SiC肖特基功率二极管 Boost功率因数校正器 性能评估 电磁干扰 半导体材料
  • 简介:本文介绍了微能8000kW/10kV超大容量高压变频调速系统河北某公司炼铁高炉鼓风机节能改造的应用情况,同时分析了高炉鼓风机的工艺及可靠性要求,为高压变频器炼铁高炉鼓风机上的应用提供了应用经验。

  • 标签: 超大容量高压变频器 高炉鼓风机 节能
  • 简介:在即将举行的中国国际消费电子博览会(SINOCES)上,飞兆半导体公司亚太区总裁兼董事总经理郭裕亮将作出专题演讲,探讨能效问题,以及随时可用的功率解决方案如何帮助中国制造商加快产品上市时间。SINOCES将于2006年7月7至10日山东省青岛市青岛国际会议中心召开。

  • 标签: 飞兆半导体公司 国际会议中心 消费电子 博览会 亚太区 中国
  • 简介:仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比,这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

  • 标签: MOSFET器件 电压等级 平面型 最优化 AC/DC 竞争
  • 简介:本文阐述了西门子SIMOVERTS同步电动机自控变频系统的主回路结构、控制系统组成及工作腺理,给出了软启动系统工作的时序逻辑,对主要控制功能进行了分析,并就采用一拖二方式济钢1750m^3高炉风机上的典型应用进行了介绍。

  • 标签: 无换向器同步电动机 负载换向逆变器 自控变频系统 高炉风机
  • 简介:英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS)以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

  • 标签: IGBT 功耗 开关频率 低饱和压降 股份公司 频率范围
  • 简介:尊敬的各位领导、各位嘉宾:大家上午好!非常高兴参加今天(2011-9—17,北京)第八届变频器企业家论坛和第九届电力电子的论坛。首先我代表工信部电子信息司对电力电子企业家论坛暨第九届电力电子论坛的召开表示热烈祝贺,对长期电力电子行业科研、生产第一线辛勤工作的领导和同志们表示我们的敬意;

  • 标签: 电力电子行业 电子论坛 企业家 变频器 电子产业 解读