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  • 简介:<正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

  • 标签: 大电流开关 穿通 SMPS IGBT 硅晶片 今日电子
  • 简介:<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

  • 标签: 功率元件 GAN 功率半导体 功率晶体管 半导体厂商 导通电阻
  • 简介:<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

  • 标签: 导通电阻 逆变器 栅源 马达驱动 正向电压 反向恢复时间
  • 简介:<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容(Eoss)的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

  • 标签: 功率晶体管 COOLMOS C6/E6 Infineon 英飞凌科技 低导通电阻
  • 简介:<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

  • 标签: 飞兆半导体 开关电源设计 同步整流 FAIRCHILD V MOSFET
  • 简介:<正>INTERNETA开通以来,上网的朋友越来越多。在名片上印自己的电子信箱-E-mail地址,也成了一种时髦,如何能得到一个属于自己的E-mail地址呢?我给大家介绍几种方法。你在当地的邮电局申请入网后,就会得到一个E-mail地址。这个地址连接速

  • 标签: INTERNET 免费邮件服务器 地址连接 电子信箱 搜索引擎 邮电局
  • 简介:Inthispaper,wedemonstratetheacetylehe(C2H2)sensorwithhighsensitivityusingahollow-corephotonicbandgapfiber(HC-PCF).ExperimentsformeasuringC2H2concentrationsingasmixtureareperformed.Usinga2m-longHC-PCFasgascell,thespectrumofacetyleneatn1+n3bandhasbeenmeasured,andtheP11-branchhasbeenselectedforthepurposeofsensing.Aminimumdetectivityof143partspermillionbyvolume(ppmv)forthesystemconfigurationisestimated.

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  • 简介:AlinearizationattackontheKeyStreamGenerator(KSG)ofthemodifiedE0algorithmproposedbyHermelin[ProceedingsofICISC'99,SpringerLNCS1787,2000,17-29]isgiveninthispaper.TheinitialvaluecanberecoveredbyalinearizationattackwithO(260.52)operationsbysolvingaSystemofLinearEquations(SLE)withatmost220.538unknowns.FrederikArmknecht[CryptologyePrintArchive,2002/191]proposedalinearizationattackontheKSGofE0algorithmwith0(270.341)operationsbysolvinganSLEwithatmost224.056unknowns,sothemodificationproposedbyHermelinreducestheabilityofE0toresistthelinearizationattackbycomparingwiththeresultsofFrederikAnnknecht.

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  • 简介:Atomicityisnecessaryforreliableandsecureelectroniccommercetransactionandtoguaranteetheparticipants'interests.Anatomicandefficiente-cash(electroniccash)transactionprotocolbasedontheclassicale-cashschemeispresented.Thedeliveryofdigitalgoodsisincorporatedintotheprocessofpaymentintheprotocol.Apartfromensuringallthreelevelsofatomicity,thenovelprotocolfeatureshighefficiencyandpracticabilitywithunfavorablestrongassumptionremoved.Furthermore,theproposedprotocolprovidesnon-repudiationproofsforanyfuturedisputes.Atlast,analysisoftheatomicityandefficiencyisillustrated.

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  • 简介:文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。

  • 标签: 固态功率放大器 空间功率合成 MMIC
  • 简介:有消息称,在即将摊出的新产品中,金山毒霸将放弃合作长达一年之久的俄罗斯Dr.Web引擎,全面启用自行开发的新引擎。同时,新产品一改以前以按年号命名的习惯(如金山毒霸2003),将被命名为金山毒霸V。从诞生之日起就高举双引擎杀毒大旗的金山毒霸,正在经历一次脱胎换骨的重大改变,而事实

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  • 简介:电路板品质允收规格IPC-A-600G出版日期:2004年11月本文件手册系针对电路板的内部或外部观察所得,就其理想.允收与不合格等情况而加以说明.本手册亦遵循IPC-6010系列与ANSI/JSTD-003等,不同电路板成文规范所宣示之各种起码品质要求者,担任一种目视解说的角色.

  • 标签: 电路板 规格 2004年 品质要求 手册
  • 简介:<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

  • 标签: MDmesh V ST 意法半导体 通态 半导体供应商
  • 简介:TheanalysisofsolarcellperformancehasbeendonebysimulatingtheexternalI-Vcharacteristicsofn^+/p/p^+singlecrystalsiliconsolarcellunderhighlightintensityand1.5airmass(AM).Thismethodallowsthemaximizationofsolarcellefficiency.Tofabricatelow-costn^+/p/p^+singlecrystalsiliconsolarcells,solidsourceofdopedphosphorousandboronwasused.

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