简介:DDR3SDRAM是新一代的内存技术标准,也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本,随着越来越多的SoC系统芯片中集成DDR3接口模块,设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应用前景。本文在研究了DDR3的JEDEC标准的基础上,设计出DDR3控制器IP软核的整体架构,并使用VerilogHDL语言完成DDR3控制器IP软核。在分析了40nmDDR3PHY测试芯片的基本性能的基础上,设计DDR3控制器IP软核的接口模块。搭建利用AXI总线对DDR3控制器IP软核发出直接激励的仿真验证平台,针对设计的具体功能进行仿真验证,并在XilinxXC5VLX330T-FF1738-2开发板上实现对DDR3存储芯片基本读/写操作控制。在EDA仿真环境下,DDR3控制器IP软核的总线利用率达到66.6%。
简介:近几年,电子产品朝轻,薄,短,小化迅速发展,印制线路板也随着这股潮流朝向高密度封装方向发展。尤其是积层板总数的增加和导通孔以及连接盘的小径化也日益显著。对于积层线路板而言,用来加工层间连接的盲通孔(BVH)的激光方法取决于导通孔和连接盘径。激光器分为CO2激光和UV-Yag激光两种。导通孔径为60μm以上时,则一般用CO2激光加工。由于铜在CO2激光的波长(9.3μm~10.3μm)领域中的吸收比很低,因此"保形法"(在表面铜箔上,蚀刻出需要的加工孔径(开铜窗),再以激光打掉树脂)成为了现在的主流。然而,由于保形法需要蚀刻开铜窗,因此增加了形成图形的工序,而且导通孔的定位取决于下层的定位标记,容易发生错位。随着积层板层数的增加,导通孔和连接盘的小径化发展,越来越需要提高加工速度和定位精度。因此,同时对铜和树脂进行加工的"直接钻孔法"开始被关注。直接钻孔法是根据格柏数据进行导通孔的定位,因此,即使导通孔/连接盘径越趋小型化,也不会发生错位,是一种能够推进多层化,高密度化的先端技术。本文讲述了以直接钻孔法形成高可靠度导通孔时所需的技术和药品。
简介:从工信部获悉,工信部副部长辛国斌对《国家智能制造标准体系建设指南》进行了解读,他表示,智能带IJ造是《中国制造2025》的主攻方向,该指南明确了建设智能制造标准体系的总体要求、建设思路、建设内容和组织实施方式,从生命周期、系统层级、智能功能等3个维度建立了智能制造标准体系参考模型,并由此提出了智能制造标准体系框架,框架包括“基础”、“安全”、“管理”、“检测评价”、“可靠性”等5类基础共性标准,和“智能装备”、“智能工厂”、“智能服务”、“工业软件和大数据”、“工业互联网”等5类关键技术标准,以及包括《中国制造2025》中10大应用领域在内的不同行业的应用标准。辛国斌表示,计划每2-3年对该指南进行修订。