简介:
简介:本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上,结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势,最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。
简介:随着电子行业的飞速发展,表面贴装元件向着密集、精密、细小的方向发展,使用的元器件种类也越来越多。QFN封装形式具有以下的优点:无引线,降低了引脚间的自感系数,有利于高频电路;中间大面积裸露焊盘,使元件本身具有很强的散热能力;同时,四周I/O焊端使PCB布线灵活方便,方便布线工程师工作。由于QFN元器件具有这些优点,其近年来得到大量应用,在元件封装中比率越来越大。但是,许多公司对该类型封装认识不足,造成良品率低、生产效率低下和返修量大的问题。本文从实践中总结了QFN三个方面的焊接或设计缺陷供大家参考。
简介:为了遏制我国学龄儿童注意力缺陷多动障碍(ADHD)患病率逐年上升的趋势,解决目前的治疗方法都存在一定副作用的问题.本文给出了一种新型的基于心电反馈的注意力缺陷多动障碍矫正仪的设计方法。该方法采用心电反馈技术来调节患者的自主神经平衡状态来实现治疗目的。同时,该矫正仪界面简单、操作方便、针对性强且能实时显示分析结果。
简介:发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29%的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。
简介:AVX公司是全球著名的被动电子器件供应商,作为其子公司的天津安施国际贸易有限公司在上海PCIM2010中国电力电子展览会上精彩亮相。
无铅焊料手工焊接试验及注意事项
SiC功率半导体器件的优势及发展前景
使用变频器应注意的电气环境
细间距QFN焊接工艺应注意的几个问题
基于心电反馈的注意力缺陷多动障碍矫正仪设计
集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势
以技术优势作后盾AVX欲圆“中国淘金梦”——访天津安施国际贸易有限公司崔爱国先生