简介：电子元器件行业如何借力假日实现营销目的？四月、五月是假期大战，也是商家营销的黄金时期，毋庸置疑，年中也是电子元器件行业的旺季。所谓假日营销，就是在利用节假日进行的一系列营销活动。假日营销是非常时期的营销活动，是有别于常规性营销的特殊活动，

简介：

简介：从目前我国水资源短缺水污染严重的问题出发，讨论中水开发利用及使用推广问题。

简介：Atmel公司日前推出一款新型媒体处理器AT76C120。该处理器在单个芯片上集成了实现媒体播放功能所需的所有功能，适合于标准和高清晰度电视、平板显示器、投影仪、便携媒体服务器和可独立使用的播放盒(playbackbox)。

简介：以往，选用手持式还是台式万用表是有明确的界限的。如果你做设计工作或需要很高的精确度，那么就应选择台式万用表。而今天，日益变小的元件使得手持式万用表和台式表的性能差异变得很小。手持式万用表已接近如式表的性能。它们基本可以交换使用。

简介：近年来，我国IC产业发展迅速，己成为国家经济发展的主要驱动力量之一。

简介：在工业现场，通常在用一个仪表放大器来完成信号的调理，进行长线传输时，往往会产生以下问题：（1）由于传输的信号是电压信号，传输线会受到噪声的干扰；（2）传输线的分布电阻会产生电压降；（3）在现场如何提供仪表放大器的工作电压。

简介：正如我们所看到的，随着中国社会的快述发展，大电力超远距离传输的需求迅速增长，用于高压直流输电工业的品闸管的功率要求也越来越大。为此目的，ABB开发了一种6英寸、8．5kV／4000A的晶闸管，该品闸管具有良好的阻断特性、高dv／dt能力、以及所需的擎住灵敏性。可靠性研究表叫，该品闸管能够很好的经受住80℃温差、5000次的负载循环，并在90℃、1000小时的交流阻断中保持恒定的漏电流。

简介：在现代电子产品中，无源器件数量超过有源器件数量十倍的现象非常普遍。在空间为主要因素的众多无线通讯产品如手机中，特别需要集成无源器件。这种器件的芯片级封装通过把所有电路无件紧密结合在芯片本身的焊盘位置内来优化印制电路板的空间利用。本文提供了模拟的器件和实际达到的器件性能，也讨论了芯片级封装的优势和可靠性因素。

简介：为了提高数据传输设备的传输速率，扩大系统的传输容量，本文设计了一种将两路异步数据、两路话音数据和一路同步数据复接为一路复合数据信号，并在接收端再分离成各个分路信号的复分接器，该复分接器可以满足多种功能需求，有很好的应用前景。

简介：介绍了在嵌入式系统中利用CH375对U盘进行读写的实现方法；同时介绍了USB总线接口芯片CH375的主要特点及FAT文件系统的组成。给出了USB的接口电路和软件流程。

简介：本文结合实际SMT混装组件制，阐述SMT混装组件失效的机理，介绍了环境应力筛选试验的情况和结果，对影响可靠性的各种因素进行了分析与总结，提出了提高可靠性的措施，指出了环境应力筛选是保证SMT混装组件产品可靠性的必要工作手段，它可排除早期故障、使产品可靠性接近设计的固有可靠性水平。

简介：真空开关真空灭弧室真空度检测是保证真空开关运行质量的重要措施。本文介绍了利用高频脉冲电流法进行真空度检测的原理，提出了其对高频脉冲电源的设计要求，并且研制了一种基于脉宽调制和IGBT逆变技术的高频脉冲电源。本电源采用380V三相交流电作输入，通过三相整流、PWM控制BUCK降压变换、PWM控制单相桥式IGBT逆变和高频变压器升压的方式实现，并且包含了电容充电保护，过流和过压保护电路设计。试验结果表明，本文研制的高频脉冲电源满足真空度检测的需要，并且具有电压和频率独立可调，实现了过流和过压保护，运行稳定性高，操作方便等优点，为开展高频脉冲电流法真空度检测的深入研究奠定了基础。

简介：4．3、TFT-001A00-钻孔5月24日钻孔，取54片板切片量测孔壁粗糙度，单位：Mil，Spec：〈1．0mil

简介：日本东京当地时间本周日，有日本媒体报道称，东芝公司将在今年年底开始向丰田汽年公司供应控制混合型汽车关键功能的芯片。

简介：晶闸管电子板的性能直接关系到晶闸管阀的工作性能，从而直接影响到整套静止无功补偿装置的可靠性。本文将从晶闸管电子板电源的取能方式入手，结合不同的SVC装置运行特点，详细介绍电压取能和CT取能的特点以及二者的应用场合，并给出相应的试验结论。

简介：化工原材料价格上涨和电子整机产品价格不断下调，对印制电(线)路板及覆铜板行业造成很大冲击：人们对环保的要求使该行业必须开发出符合环保要求的新产品：本文详细介绍了导电油墨、导电胶粘剂和印刷电路板用酚醛纸层压板的性能、用法：讨论了在低端电子产品(如电子玩具、简单的家电产品和部分仪器仪表的控制线路等)中，用导电油墨制造印刷电路板的可行性。

简介：大功率半导体器件的各种应朋中．热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析，将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空气间的传热过程两部分，最后给出散热器风冷热阻计算公式和计算实例。同时为了满足实际应用，我们根据此公式开发成功了一种专用风冷散热器热阻计算和曲线绘制软件。与散热器厂家给出的散热器风冷热阻曲线对比，其结果基本吻合。

简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

简介：电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。