简介：文章通过张紧辊负荷平衡控制的两种不同思路,阐述了两种控制方式的原理,并就两者的特点和区别进行了说明,借助例子阐明了实际应用中的注意事项。负荷平衡控制方式一的基本思路是在保证辊子不打滑情况下提供所需张力,各马达间负荷比例随前后张力的不同并不能始终保持相同或相近。负荷平衡控制方式二的基本思路是借鉴马达串联运行控制,设定一个主马达,其它马达的负荷按照主马达的负载百分比进行控制,从而实现各马达功率输出比例的一致。这种方式控制原理简单直观,每台马达都发挥出其最大功率。

简介：对两种带有CAN控制器的微控制器的体系结构、内部特点、内置的CAN控制器、以及应用领域等进行了比较．详细介绍了它们在内置CAN控制器方面的区别。提供了在不同应用领域选择不同微控制器的新思路。

简介：现在的汽车上有很多电力驱动装置。从车窗的起落装置到电动助力转向系统，各种不同的动力都是由不同的电机和电子元器件组合来提供和实现的。用来驱动这些应用装置的变换器一般是由几个N沟道场效应管，一个驱动集成电路，一个微处理器，和通信与电源设备组成。典型的应用是驱动电动机的功率开关，只有一个H桥拓扑或是三相桥结构。作为微处理器和功率场效应管的接口，驱动电路将提供给场效应管的栅极必要的电流和电压，以保证它达到安全和预期的开关性能。针对汽车对于安全性方面的较高要求，一些保护功能也被纳入到驱动电路中，比如短路保护和过温保护。本文主要介绍一种新的方法，即用一个P沟道MOS场效应管作为高压端开关，而一个N沟道MOS场效应管作为低压端开关。先介绍其优点，再分析它的缺点。此外，本文还介绍P／N沟道组合的驱动集成电路，此电路现在市场上没有出现。

简介：

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简介：PilkingtonAutomotive在德国的Witten投资了一个大型项目，建设一条全新的世界一流的玻璃片成形与切割生产线，这条生产线采用了最先进的弯曲和强化工艺。由于先生产线的每一部分都要进行规划、设计、制造和安装，因而他们专门指定了一家变速驱动装置制造公司来提供可满足质量要求和生产目标的高精度控制系统。这是哪家公司？是艾默生CT。

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简介：本文论述了高压大功率风机应用变频调速器在生产工艺、节能等方面的显著效果。

简介：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。

简介：威盛电子日前推出的VIAPT890芯片组进一步扩展了威盛支持MicrosoftWindowsVista规格的核心逻辑芯片组产品线。据悉，威盛电子这次推出的VIAPT890芯片组可支持包含1066MHz前端汇流排Intel处理器在内的全系列微处理器，并能提供PCIExpress连接功能，同时可支持DDR2存储器规格。此外，该芯片组还拥有完整的功能特性和绝佳的稳定性，因而具有杰出的系统效能。

简介：针对灾后教室重建困难重重短时间无法正常上课,以及支教过程中教学设备简陋无法教学等问题,提出了一种可以随时随地用于教学的多功能变形移动空间体多媒体教室。通过教室的变形,可以实现教室的搭建和实时转换地点的功能。并在教室中运用基于RFID技术的学生信息管理系统,有利于提高移动教室的服务效率和质量,确保学生的安全。基于人机工程学,合理设计教室设备布局,对提高教学效率和保障师生的身体健康都十分有益。移动教室方便托运,如果有特殊情况,这些教室可以随时“搬走”,学校可以转移到任何合适的场所,具有一定的推广价值。

简介：介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点，分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重，同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：本篇文章介绍了适合瞬态模式的PFC预调节新控制IC。在一个标准的TMPFC控制器的核心基础上，它提供了一个附加的功能，帮助实现无源器件所需要的补助功能，否则它将需要相当复杂的外部电路。这篇文章很详细得描述了这些功能，并提供了一系列的例子让大家更好得享受这个新IC带来的简化以及低廉的成本。

简介：传统的电容器组补偿由于响应时间慢,不能动态跟踪电网进行补偿等缺点,已经无法适应未来智能电网的发展方向,本文把SVG和电容器组进行对比,阐述了SVG的原理、技术优势和电容器组的缺点。以SVG为代表的新型无功补偿设备技术先进可靠,有广泛的应用市场前景。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：本文介绍了变频器转换柜的结构，基本功能，工作原理和一、二次接线图。

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：开关稳压电源瞬态分析的核心问题是建立一个恰当的模型。瞬态分析包括大信号分析、小信号分析和直流分析。系统瞬态分析和设计（综合）的传统方法是频域法，在复频域内研究分析开关电源的瞬态性能，如：稳定性、鲁棒性、快速性和对输入电压或负载的抗扰动性等。给出了电压型控制的开关电源单环系统的频域模型，以及系统的频域分析、设计（综合）方法。讨论了电压控制器（补偿网络）的参数选取及双环（电流型）控制的开关电源建模。