简介：蓝牙安全问题是除价格之外直接制约蓝牙技术广泛应用的瓶颈之一,文章通过对其安全结构、安全模式、安全级别、链路层安全参数、鉴权、密钥管理、加密等分析,讨论蓝牙安全体系中存在的一些问题,旨在探讨蓝牙技术在应用过程中如何能够实现一个真正的无电缆连接、方便快捷、安全可靠的通信环境。

简介：对完善的考核机制在提高实验教学质量中的作用进行了简要探讨,以例题的形式详细介绍了大学物理实验考核机制的组成部分,并强调了实施中的注意事项。

简介：为了提高Mach-Zenhder干涉仪的分辨率，需要提高探针光输出亮度。用系列程序进行了低功率密度长焦线类镍银的优化设计。1％预脉冲，驱动激光能量EL=95J，焦线100μm宽、27mm长，25mm长靶，f12=2．75ns，增益系数G=10／cm，增益长度积GL=25。

简介：本文从适应证、临床运用及遣方用药三方面对张锡纯《医学衷中参西录》中的益气活血法进行了探析。1．适应证多。可用于气血虚证、血瘀证、脾胃虚弱证、久病者等。2．运用广泛。治病近20种，如：脑贫血、虚劳、痹症、历节风、瘘废、胁痛、疮疡、癥瘕、少乳等病症。3，用药灵活。对虚中挟实之证，以补气扶正为主，佐以活血：对血瘀兼气虚证，以活血化瘀为主，佐以补气。药物选择上，益气首推黄芪，其次择白术、党参、山药；活血药中，重用当归，喜用药对乳香与没药、三棱与莪术。

简介：应用程一玻恩超导双带理论，分析了压力诱发的超导再进入现象，指出压力使费米面和上面空带的两能级分裂形成靠近的两能带，电子从费米面迁移到上面能带，造成动量空间中上面能带布里渊区电子的再次不对称分布，而产生新的超导相。

简介：根据基础物理实验教学的特点,论述了在实验预习、实验操作两阶段引入激励机制教学手法的必要性和重要性,并以迈克尔逊干涉仪实验为例,阐述了激励机制的具体实施方法。

简介：依据量子信息学和量子计算基本理论，在研究低剂量I射线与神经细胞的相互作用规律及物理机理时，将神经细胞骨架微管中的两种蛋白构型视为两能级原子体系，使用密度矩阵描述脑神经系统中信息位的状态，建立并求解系统的动力学方程。结果表明：随密度矩阵非对角元素的减小，系统的量子相干性迅速降低。因此，低剂量I辐射可以影响受照者的脑神经功能。

简介：提出了一种基于模糊RBF神经网络的永磁同步电机DTC控制方案。该方案是在直接转矩控制系统的基础上,在模糊控制器前端加入了RBF神经网络模块,在对转矩误差、定子磁链误差和磁链角度进行映射前,对其进行数据处理获得合理的模糊分级,并作为模糊控制器的输入以便选择合理的电压空间矢量。RBF神经网络模块的加入使得系统具有更好的鲁棒性,仿真结果表明,基于模糊RBF神经网络的永磁同步电机DTC控制系统具有较好的动、静态性能,能够实现快速响应。

简介：从新高考改革物理学科遇到的困境出发,分析当下电子游戏能成功的吸引学生的要素,从中提炼出物理学科可以借鉴的思路,用到新课程理念的教学模式中,寻求提高学生物理学科素养的突破口。

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：模糊系统具有容易被人理解的表达能力,神经网络则具有极强的自适应学习能力。本文将模糊逻辑控制技术和神经网络技术相结合,给出了一种比单独模糊系统或单独的神经网络系统性能更好的基于模糊RBF神经网络自整定的拥塞控制方法。该方法根据路由器中队列长度的变化来调整数据包的丢弃概率,从而使路由器的队列长度稳定在一期望值附近。仿真结果表明,该算法具有较强的鲁棒性,更短的调节时间。

简介：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。

简介：给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网络群可实现在输入测量活化率数据后,直接输出相应的1MeV等效中子注量。利用该方法求解了西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台内的1MeV等效中子注量。与实测中子能谱计算的1MeV等效中子注量结果对比,二者偏差小于6.6%。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.