简介：用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理的，腹腔注射CdCl2的及注射后用新型的络合剂促排的三组Wistar大鼠的肾切片。结果表明Cd主要分布在肾的皮质部分，而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间的关系；在正常鼠肾中，元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为一类，它们在肾中的分布有较强的共位性，处于平均状态；急性中毒时，Cd与Se的距离最近。有较强的相互作用。其次是与Ca，此时元素的分类不明显，平衡被打乱；中毒后用新药促排的Se和Zn强相关并聚为一类，其它元素间的相关性变弱，元素基本上又趋于分为两类。

简介：

简介：不同退火温度处理后的纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD的结果表明，在300℃温度退火后，纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态；纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后，NiB和NiP样品都晶化为金属Ni，但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同，而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响，生成的晶态Ni的结构有较大的畸变，结构与金属Ni相差很大。

简介：用同步辐射X荧光(SRXRF)分析了土壤和岩石标准参考物质、泰兵马俑和江西洪州窑古瓷中的元素谱。实验结果表明用扫描方式分析古陶瓷中的元素谱能提高实验数据的重复性，在古陶瓷元素谱的无损分析中，现有标准参考物质可以用于部分元素含量的的标定和分析质量控制。

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

简介：应用同步辐射小角X射线散射方法测试了不同制备条件下SiO2干凝胶的孔隙结构，发现了散射曲线对Debye散射理论的遵守与正、负偏离的三种情况。分别应用Debye法和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算了SiO2干凝胶中微孔的平均孔径，结果表明这几种方法的计算值不仅在遵守Debye散射理论的情况下比较接近，而且在偏离（正和负）Debye散射理论的情况下也取得了较好的一致性。

简介：提出了当多孔体系的小角X射线散射不遵守Porod定理的情况下，应用Debye法（相关函数法）和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算它们的平均孔径的方法。对不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝的测试，取得了比较一致的结果，并与氮气吸附法测定结果进行了对比。

简介：阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程，并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻，得到了深度为500μm，深宽比达8．3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时，对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。

简介：在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。

简介：

简介：利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

简介：X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位，以建立纳米级长度基准，从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性，因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点，并考虑到X射线的吸收特性，用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室（BSRL）4W1A束线上选择17．5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验，在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

简介：

简介：本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展，其中，最细尺寸已达50纳米。

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

简介：使用同步辐射X射线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量。获得了Ca、P、K、Fe、Zn、Sr、Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。

简介：使用同步辐射X线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量。获得了Ca、P、K、Fe、Zn、Sr、Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。

简介：使用同步辐射X射线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量，获得了Cu,P,K,Fe,Zn,Sr,Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。

简介：X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。