简介：Moleculardynamicssimulationswereperformedtostudytheinteractionbetweenatomichydrogenandsiliconcarbide.Inthepresentstudy,wefocusontheeffectofthesurfacetemperatureonHinteractingwithsiliconcarbide.ThesimulationresultsshowthattheretentionofHatomsinthesampledecreaseslinearlywithincreasingsurfacetemperature.ThedepthprofileanalysisshowsthatthesampleismodifiedbyHbombardment,andthedensityofHatomsisgreaterthanthoseofSiandCatomsneartheinterfaceregionbetweentheH-containingregionandthebulk.However,nearthesurfaceregionthedensitiesofH,SiandCatomsarealmostequivalent.Inthemodifiedlayer,thebondsconsistofSi-CandSi-HandC-H.ThefractionofSi-Cbondsisthegreatest.OnlyafewC-Hbondsarepresent.

简介：Geepilayersofdifferentthicknessesaregrownbymolecular-beamepitaxywithSbasasurfactantonSI(100)substrates,X-raydiffractionillustratesthattheseGethinfilmsarepartiallystrained.andthestrainsdecreasegraduallywithincreasingepilayerthickness,RamanspectrarevealadownwardshiftoftheGe-Gemodepeakastheepilayerthicknessincreases.Intheregionsofhighstrain,therelationshipbetweentheRamanshiftofthismodeandthestraininthepartiallyrelaxedsamplesisconsiderablydifferentfromthelinearrelationshipreportedbefore,whichismainlyattributedtothespatialconfinementeffectofphononsinananocrystal.

简介：本文利用XAFS方法研究机械合金化方法制备的Fe100-xCux(x=0,10,20,40,60,70,80,100,x为原子百分比）合金中Fe、Cu原子的局域环境结构随组成的变化。对于Fe100-xCux二元混合物，当x≥40时，Fe原子的近邻配位结构从bcc转变为fcc，但Cu原子的近邻结构保持其fcc不变；与之相反，当x≤20时，Fe原子的近邻配位保持bcc结构而Cu原子的近邻配位结构从fcc转变为bcc结构。XAFS结果还表明fcc结构的Fe100-xCux中Fe的无序因子σ（0．009A）比bcc结构的Fe100-xCux中的σ（0．081A）大得多；并且在同一机械合金化Fe100-xCux（x≥40）样品中Fe原子的σ（0．099A）比Cu原子的σ（0．089A）大。这表明机械合金化的Fe100-xCux样品中Fe和Cu原子可以有相同的局域结构环境但不是均匀的过饱和固溶体，而是fcc或bcc合金相同时存在Fe富集区和Cu富集区。

简介：Alargediamondcrystalupto500μmindiameterwithasmooth(100)facetatitstophasbeensynthesizedonMosubstratethroughmicrowaveplasmachemicalvapordeposition(MPCVD).Itsmorphologyandqualitywerecharacterizedbyscanningelectronmicroscopy(SEM),andthegrowthmechanismwasroughlyillustratedfrombothmacroscopicandmicroscopicviewpoints.Itwasfoundthatmorphologicalinstabilitiesareamajorfactorresultinginsynthesisoflargediamondcrystals,moreover,highmicrowavepowerdensity(MPD),highCH4concentrations,highpressure,highsubstratesurfacetemperatureandtheadditionofasmallamountofO2werealsonecessaryforthesynthesisoflargediamondcrystals.

简介：Neutralbeaminjection(NBI)isrecognizedasoneofthemosteffectivemeansforplasmaheating.A100slongpulseneutralbeamwith30keVbeamenergy,10Abeamcurrentanda100slongpulsemodulatingneutralbeamwith50keVbeamenergy,16AbeamcurrentwereachievedintheEASTneutralbeaminjectoronthetest-stand.ThepreliminaryresultssuggestthatEAST-NBIsysteminitiallypossesstheabilityoflongpulsebeamextraction.

简介：StationarylongpulseplasmaofhighelectrontemperaturewasproducedonEASTforthefirsttimethroughanintegratedcontrolofplasmashape,divertorheatflux,particleexhaust,wallconditioning,impuritymanagement,andthecouplingofmultipleheatingandcurrentdrivepower.Adischargewithalowersinglenulldivertorconfigurationwasmaintainedfor103sataplasmacurrentof0.4MA,q95≈7.0,apeakelectrontemperatureof>4.5keV,andacentraldensityne（0）2.5×1019m-3.Theplasmacurrentwasnearlynon-inductive(Vloop<0.05V,poloidalbeta0.9)drivenbyacombinationof0.6MWlowerhybridwaveat2.45GHz,1.4MWlowerhybridwaveat4.6GHz,0.5MWelectroncyclotronheatingat140GHz,and0.4MWmodulatedneutraldeuteriumbeaminjectedat60kV.Thisprogressdemonstratedstrongsynergyofelectroncyclotronandlowerhybridelectronheating,currentdrive,andenergyconfinementofstationaryplasmaonEAST.Itfurtherintroducedanexampleofintegrated'hybrid'operatingscenarioofinteresttoITERandCFETR.

简介：

简介：GaInP/GaAs/Getriple-junctionsolarcellswereirradiatedwith50keVand100keVprotonsatfluencesof5×1010cm-2,1×1011cm-2,1×1012cm-2,and1×1013cm-2.Theirperformancedegradationisanalyzedusingcurrent-voltagecharacteristicsandspectralresponsemeasurements,andthenthechangesinIsc,Voc,Pmaxandthespectralresponseofthecellsareobservedasfunctionsofprotonirradiationfluenceandenergy.Theresultsshowthatthespectralresponseofthetopcelldegradesmoresignificantlythanthatofthemiddlecell,and100keVproton-induceddegradationratesofIsc,VocandPmaxarelargercomparedwith50keVprotonirradiation.

简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

简介：通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面，考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明，催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在，其化学组成主要为FeOOH，且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

简介：

简介：用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射，基于GBC理论假设，采用相关函数法计算了原位担载于两种烟煤上FeSO4的粒径分布，考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响，计算结果与XRD表征结果相似，FeSO4在两种煤样上的最可几粒径为4nm左右，分布范围为0．5－8nm，助剂对FeSO4粒径分布的影响较小，它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。