简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。
简介:CVD金刚石可以用各种方法合成,其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜,并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是,热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径,以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下:(1)随着沉积压力的降低,金刚石晶粒尺寸减小,成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加,金刚石晶粒尺寸减小,成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流,但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加,金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。
简介:金相学是一门十分重要的学科,金相技术的进步在很大程度上决定了材料工程学,军事科学,地学,金属物理学,冶金学等的进步与发展。由于国民经济各部门对材料提出的要求越来越高,所以急需开发新材料,研究新的加工方法,特别是精细研究不同成份的合金在各种状态下的组织和性能,促使人们越来越着力研究和应用新的金相学测试仪器和金相学测试方法。近年来,由于材料工程科学的发展,金相技术水平也越来越高,而工作实践中相当一部分工程技术人员对新金相技术了解不多,工作中带来许多困难,为使这些技术人员尽快了解和掌握一些必备的基础知识和分析方法,从而在工作中能正确运用金相分析方法,本文将对常用现代金相技术的基本原理,设备特点和应用范围,作一简介,并力所能及的给出相关仪器设备的原理和性能比对。测试技术方面的仪器,设备近年来更新很快,如穆斯堡尔谱议,拉曼光谱仪等本文不予介绍读者可参看有关专著。文中拟重点介绍扫描电镜(以下简称SEM),透射电镜(TEM),扫描电子衍射仪,电子探针四种仪器,对光学金相显微镜(包括常温,高温,低温金相显微镜),X-射线显微分析,俄歇电子分析,低能电子衍射等按其应用将做不同篇幅的介绍。
简介:本文中介绍了物联网的特点及其相关电子产品对PCB基板材料的要求、目前市场上可供选用基板材料的品种、规格及其主要性能等情况。