简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.
简介:随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiCMOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiCMOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiCMOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。
简介:Photoluminescenceevaluationofpandntype6H-SiCsampleshasbeendone.Resultsshowthatatlowtemperaturethephotoluminescenceof6H-SiCisclearlydominatedbydonor-acceptorpairtransitions,insomecase,free-to-donortransitioncouldbeobservedathighertemperature.Thethermalquenchingprocessesofthephotoluminescencehavebeeninvestigatedtodeterminethepossibleionizationnenergiesoftheimpurities.
简介:Theholeinjection,theradiativerecombinationandthedevicelumi-nescentefficienciesofamorphoussiliconcarbidethinfilmp-I-njunctionlightemit-tingdiodesarequantitativelycalculated,andtheeffectofthecarrier(especiallythehole)injectionandrecombinationprocessesonthedeviceluminescentcharacteris-ticsarerevealed.Withoutconsideringthedevicejunctiontemperature,itisroundthatthedeviceluminescentefficiencymainlydependsontheholeinjectionefficiencyatlowfieldandtheholeradiativerecombinationefficiencyathighfieldrespective-ly.Thetheoreticalanalysesareinwellagreementwiththeexperimentalresults.