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  • 简介:近年来,砷化镓器件的发展极为迅速.其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提NGaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、共蒸通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。

  • 标签: GAAS PHEMT 欧姆接触 双源共蒸
  • 简介:<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

  • 标签: 光电元件 化合物半导体 原子级 FINFET 磷化铟 首款
  • 简介:近日,澳大利亚通过元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学(UNSW)量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

  • 标签: 量子计算机 澳大利亚 硅元素 新南威尔士 技术中心 资金来源
  • 简介:随着改革开放的不断深入和发展,近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展,文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富;各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建;各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时.纷纷计划筹建大型多功能演播厅,以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。

  • 标签: 调光硅柜 性能比较 电视台 多功能演播厅 调光系统 管理模式
  • 简介:文章主要介绍了通过对厚多晶膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶方块电阻。

  • 标签: 厚多晶硅薄膜 饱和掺杂 低阻 多晶硅电阻
  • 简介:据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所(KIT)的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

  • 标签: 光子芯片 光集成 硅基 世界 研究人员 生物传感器
  • 简介:随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种通孔互连技术的制造方法,以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后,进一步阐述了通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

  • 标签: 硅通孔互连 三维封装 MEMS封装
  • 简介:本文阐述了ULSI衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

  • 标签: ULSI 衬底单晶片 清洗方法 表面活性剂 兆声清洗
  • 简介:<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

  • 标签: FDSOI 绝缘体上硅 硅集成电路 硅晶圆 高性能处理器 沟道效应
  • 简介:<正>据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-光电混合芯片。这种与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网站上。该研究团队由哥伦比亚大学的工程师和新加坡微电子研究所的研究人员组成。他们通过放置一个碳原子厚度的石墨烯薄片,成功将不发生光电或电光

  • 标签: 石墨烯 微电子研究所 非线性光学性能 光子集成 杂志网站 光互连
  • 简介:<正>Burster推出的DigistantModel4462是一种精确的校验,其电流范围是±52mA、电压范围是±30V、基本准确度是0.005%。用户可用外部参考结模拟所有的传统热电偶。产品可作为一个单独的设备工作,或者用

  • 标签: Burster公司 DigistantModel4462 校验源 准确度