简介：

简介：客户对线路板供应商PCB可靠性有着非常严苛的检验标准，在多达十几项的检验项目中，与结合力相关的检测项目普遍占1／3甚至更多。因此有必要研究铝基的表面处理方法，选取结合力更好的处理方法进行制作，从而提高线路板的可靠性，以满足电子产品高可靠性的要求。文章主要对铝基的不同表面处理工艺进行研究，通过对比不同表面处理工艺的结合力，为PCB业者提供参考刚挠结合板AL表面处理工艺方法。

简介：金属基板由于其良好的散热性及尺寸稳定性,一直受到业界的高度关注和重视,近年来更逐渐由单面向双面及高多层金属夹芯技术发展。本文就铝基夹芯盲埋孔制作工艺进行了可行性探讨,并通过真空压胶技术和铝基表面复合处理工艺有效解决了铝基结合力差及超厚铝基同心圆填胶困难等业界常见的技术难题,极大提升了品质良率,满足了客户的特种需求。

简介：本论文主要介绍了一种性能优良的涂树脂铝基盖板在PCB机械钻孔中的应用研究，详细阐述了其表层树脂的水溶解性和热力学等优良性能，并着重对其21PCB机械钻孔的影响进行了探索研究，包括提升孔位精度、增加孔限、减低钻针磨损、改善孔内品质等，此外本论文还简要介绍了MVC盖板对环境的影响。

简介：全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIXG5＋C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

简介：在不同条件下（不同助剂比例和不同研磨液浓度），通过对锗化学机械抛光速率变化的研究，探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程，分析了助剂比例对抛光速率的影响。

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简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

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简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

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简介：随着改革开放的不断深入和发展，近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展，文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富；各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建；各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时．纷纷计划筹建大型多功能演播厅，以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所（KIT）的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

简介：<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.