简介:在不增大功率孔径积的同时,数字阵列雷达通过灵活的波束控制可增加目标驻留时间,并提高微弱目标的检测性能。但是,随着积累时间增长,运动目标存在跨距离单元问题。针对Keystone变换长时间目标积累方法在多普勒模糊情况下对某些特定速度的目标性能下降问题,提出了一种改进的基于Key—stone变换的长时间目标积累方法。新方法通过预处理及修正处理,能够对所有速度的目标均能较好地补偿跨距离单元效应。仿真实验验证了该方法的有效性。
简介:基于多通道复图像联合处理,速度合成孔径雷达(VSAR)可有效抑制地物杂波,实现地面运动目标检测和定位。但运动目标图像散焦和速度模糊也限制了VSAR的微弱目标检测性能,同时导致了快速目标的方位定位模糊问题。为此,提出了基于距离-多普勒-速度域混合积累的VSAR运动目标处理新方法,显著改善了微弱运动目标检测性能,并可实现快速目标的速度解模糊和正确定位。新方法无需改变VSAR的系统结构,工程实用价值高。最后,数值仿真实验的结果证明了新方法的有效性。
简介:作者在积累氦质谱组合检测中发现存在粗漏漏检现象,美国宇航局2013年2014年的研究报告揭示,各种组合检测复测中均存在粗漏细漏漏检现象。文章对积累氦质谱组合检测和氩粗漏氦细漏组合检测的粗漏检测,提出了确定最长粗漏检测时间的方法;对这两种组合检测和氦质谱检测的细漏检测,综合给出了定量确定和拓展细漏检测最长候检时间的方法,论证了压氦压力不应小于2倍的大气压力,提出了确定预充氦法和预充氦氩法最小候检时间的方法,提出了确定最长细漏检测时间的方法,从而可减少和防止粗漏和细漏漏检;并通过对美国宇航局报告中实例的分析,验证了以上方法的有效性。同时指出漏孔堵塞是造成漏检的原因之一,但不是形成微型元器件高比率漏检的主要原因。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。