简介:摘要在混成式InSb焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约InSb焦平面器件成品率。针对InSb焦平面器件温度循环下碎裂的现象,设计出热冲击试验装置,采用该装置,对InSb焦平面器件进行热冲击试验,获得InSb焦平面器件碎裂位置、分布等丰富的试验数据;通过对碎裂机理进行分析,梳理并识别生产过程中引起碎裂的工艺因素,确定了热失配应力和工艺损伤是造成InSb焦平面器件碎裂的两个主要原因。通过对底部填充材料的择优选择、固化过程的优化,控制芯片切割中的进刀速度,选择适合InSb材料的磨料,减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了InSb焦平面器件碎裂的概率,显著提高InSb焦平面器件的成品率。该研究工作分析了混成式InSb焦平面器件碎裂机理,找到了引起InSb焦平面器件碎裂的主要原因,并采取有效措施,降低了碎裂概率,使成品率提高50%,提升InSb焦平面器件的制造水平,将InSb焦平面器件应力分析结果应用于制造过程,指导探测器结构设计和工艺优化,对320*256、640*512中规模InSb焦平面器件研制具有重要意义。
简介:为提高脉冲氙灯的工作性能,降低脉冲氙灯的着火电压。文章围绕提高脉冲氙灯阴极的电子发射性能,采用等静压制、高温烧结、化学共沉淀法制备掺氧化钪铝酸盐、高温浸渍发射物质等工艺,制备出含钪钡钨阴极。对该阴极的热电子发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃和1100℃时,阴极脉冲发射零场电流密度分别为23.6A/cm^2、35.7A/cm^2和49A/cm^2。在铝酸盐中掺入一定量的氧化钪,其作用在于和铝酸盐中的氧化钡结合为2BaO+0.5Sc2O3,它成为氧化钡或钡原子的载体,起控制和补充发射源的作用。因此,在铝酸盐中掺一定量的氧化钪能显著提高阴极的电子发射能力,该阴极具有均匀性良好的热电子发射能力和较好的抗离子轰击能力。
简介:摘要本文重点介绍用于检定谷物水分测定仪示值误差所用计量标准(谷物标准水分样品)的制备方法及注意事项。
简介:摘要锅炉与工业生产和实际生活都有着紧密的联系,锅炉的使用涉及到社会生活的方方面面。因此,锅炉的安全使用问题越来越受到使用方的重视,一旦发生事故后果不容想象。锅炉的本体腐蚀会使得锅炉的壁厚减小,从而导致较大的安全隐患。本文主要介绍了锅炉腐蚀的几个常见机理并在此基础上给出了一些常用的锅炉腐蚀的防护措施。
简介:摘要锅炉是现代化生产生活中不可或缺的特种设备之一,热量的传递主要依赖水作为介质,在高温、高压和封闭的环境中,腐蚀是很严重的破坏性因素。一旦腐蚀导致锅炉内部薄弱或裂缝,强大的内部压力会导致破裂或爆炸,造成严重的人身事故和财产损失。因此,操作管理人员应该对锅炉的腐蚀机理有充分的了解,并具有针对性地制定防护措施。本文以下针对这一内容展开研究,并提出合理的建议。