简介：建立在众所周知的原理基础上的热激光切割技术（thermallaserseparation,TLS）用于切割脆性材料。应用范围包括切割显示器玻璃（包括层状玻璃）、浮法玻璃生产线上的玻璃边缘、氧化铝陶瓷等。与其他的激光技术比较，用TLS取代机械法切割晶圆有诸多优点。本文论述了TLS在切割半导体硅片领域的应用。

简介：据报道，受到日本地震影响，半导体硅晶圆供给缺口将逐渐在2011年6月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季底才开始谈下季半导体硅晶圆价格，今年在恐缺货、

简介：PLC控制人机界面一线速度自动补偿。软辊自动修复。相位电动调整。美国进口软套。挡纸板电动调整。送纸系统四杆联动，快速准确。主电机变频调速，步进电机微调

简介：把沸腾的铁水以每秒钟100万摄氏度的速度快速冷却，会发生什么奇迹?在北京市重大科技项目“非晶、纳米晶制品研究及产业化”验收会上这种神奇的东西：一片薄得像玻璃纸一样的“铁片”和一根不到头发丝直径十分之一的“铁丝”通过了验收，它们就是熔融铁水以每秒钟100万摄氏度的速度快速冷却后的结果，专家称其为“非晶、纳米晶材料”。

简介：想知道获得完美曝光的秘诀吗？那就是使用手持测光表。

简介：2007年3月26日。英特尔宣布将在中国辽宁省大连市投资25亿美元建立一个生产300毫米晶圆的工厂。这一工厂（英特尔Fab68号厂）是英特尔在亚洲的第一个晶圆厂，将强化和完善英特尔在中国的制造运营体系．也进一步体现出英特尔对中国的承诺和深入推进本地化的决心。

简介：据悉，由南开大学、天津津能公司等共同投资建设的新型光伏电池——非晶硅和微晶硅叠层电池生产线，目前在天津高新区建成投入生产。并将产品远销海外市场，受到用户欢迎。

简介：应用化学共沉淀法制备了NiZn铁氧体的前驱体粉末。对前驱体在900℃热处理后，得到尖晶石型NiZn铁氧体样品。用X射线衍射（XRD）和电子扫描显微镜（SEM）对其进行表征，结果表明：样品的晶体形貌为准六角形，粒径大小Dsem≈3.5μm，而Dxrd≈80nm，即Dsem≈44Dxrd这是NiZn铁氧体制备领域一个新颖的结果。采用该方法制备的样品可能具有一定的实用价值与经济价值。

简介：采用新颖的碳热还原和氮化前驱体法制备Ti（C，N）晶须，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品表征分析，结果表明，在1250℃条件下，产物主要相成分是Ti（C，N）晶须，含有少量的Ni和TiN成分，晶须直径为100～200nm，反应温度低于1250℃时，钛的氧化物还原不充分，而过高的温度也不能促进Ti（C，N）纳米晶须的形成。

简介：在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶，用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜，XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构；SEM与AFM表明，纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm，表面粗糙度降低到3．27nm，粒径明显增大；紫外-可见吸收和透射比光谱表明，随着退火温度的增加，吸收边发生了红移，吸收肩更明显，薄膜具有高的透射率（75—85％）；薄膜方阻随温度增加而增大，300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq），400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq），因此，ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

简介：据报道，近期，中国科学院理化技术研究所超分子光化学研究中心张铁锐课题组发展了一种新的普适的水溶性纳米晶的制备方法，获得了尺寸可控、稳定的水溶性纳米晶。研究人员结合小分子和聚合物修饰的优点，设计利用具有多炔基端基的长链表面活性剂分子进行配体加成，进而通过点击化学方法将表面的炔基进行原位交联，从而获得单分子聚合物层保护的水溶性纳米晶。

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：概述了现有非晶合金的种类，并从合金的热力学、动力学和结构3个方面阐述了合金的非晶形成机理，同时全面总结和探讨了表征合金非晶形成能力的各种参数，主要包括Inoue经验规律、△H（熔化焓）、△S（熔化熵）、过冷液体温度区间△Tx（△Tx=Tx-Tg）、约化玻璃转变温度Trg（Trg=Tg／Tm）、粘度（η）、αβ1/3、临界冷却速度（Rc）、非晶晶化开始温度（Tx）与合金开始熔化温度（Tm）之比（Tx／Tm）、合金开始熔化温度（Tm）与玻璃转变温度（Tg）或非晶晶化开始温度（Tx）之差△Tm（△Tm=Tm-Tg或△Tm=Tm—Tx）、电子浓度e／a、原子尺寸、重力等。

简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：针对潜器耐压壳体圆度测量中撑杆法测量的弊端，本文基于激光测量技术，设计了潜器耐压壳体圆度测量系统，并重点分析了该系统的测量方法及测量误差，结果表明，该系统在保证测量准确性的基础上，测量过程较撑杆法更快捷，数据更直观，数据处理更简便。

简介：位于呼和浩特市赛罕区的内蒙古晶环电子材料有限公司成功研制出一颗300kg级超大尺寸高品质泡生法蓝宝石晶体，这一成果是我国在蓝宝石晶体生长领域的重大突破。据了解，蓝宝石晶体因其优异的力学性能、良好的热学性能使其成为LED、大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等理想的衬底材料，属于国家重点支持和鼓励发展的能源材料及光电子材料。

简介：用滤质阴极真空电弧(FCVA)离子镀技术在高速钢(W6M05Cr4V2)和不锈钢(0Cr18Ni9Ti)基体上沉积120～150nm非晶金刚石膜。用划痕法测定其结合力,平均临界载荷分别为19.15N(高速钢)和6.44N(不锈钢,CB工艺)。用栓盘摩擦试验测定镀膜的摩擦系数μ和耐磨寿命。摩擦系数μ为0.092～0.105,镀膜耐磨性比高速钢高106～319倍,比不锈钢高480～3600倍,而且镀膜质量稳定,重复性好。

简介：据报道，我国有关单位不久前研发出一种新型稀土永磁材料，其产品性能优异，应用领域广阔，市场前景光明。具体地说：1．产品性能：最大磁能积：(BH)max=101KJ／m^3，剩磁：Br=0．842T，矫顽力：Hcj=777KA／m，Br的温度系数小于-0．1％(20～80℃)，居里温度：Tc≥600K2．应用领域：粘接磁体、微特电机、个人计算机、家用电器、办公自动化和汽车等。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：以柠檬酸三钠为络合剂，采用络合反应快速冷冻共沉淀法制备出铜掺杂氢氧化镍超细粉体样品材料，采用XRD、SEM、TEM、TG—DSC、Raman和红外对其进行表征，同时将其作为正极活性材料组装成MH—Ni电池，测试了其电化学性能。充放电结果表明，样品电极具有较好的循环特性．当Cu的掺杂量为5％时，合活性物质80％的样品电极在恒流80mA／g下充电6h，40mA／g放电，终止电压为1．0V时．放电电压稳定于1．260V的时间较长，开路电位为1．462V，放电比容量可达362．976mAh／g，表现出其较高的电化学活性。