简介：讨论宽温度段（＋5～-25℃）低温实验室精密温度控制系统的设计难点，并从工程应用的角度，提出利用变流量二次供冷的方式精密控制低温实验室温度的理论和手段。

简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

简介：我是一个经常出差的业务专员，感觉现有的笔记本电脑无线上网速度有些慢。而且Wi-Fi无线覆盖范围也有些差强人意，不知现在新迅驰双核平台笔记本电脑能否解决这些问题。

简介：最近看到越来越多的智能手机出现在手机市场上，智能手机是否是未来手机的发展趋势？

简介：本文介绍了温度变化对材料摩擦系数的影响,并分析了实际应用中对薄膜摩擦系数的实际检测要求.

简介：

简介：根据热力学分析方法,分析了蒸发温度与冷负荷之间的关系,推出不同吸入条件下蒸发压力随冷负荷变化率的计算式,结合实例对各方面影响因素进行了讨论.

简介：瓦楞纸板强度的高低直接影响瓦楞纸箱的抗压强度。剔除瓦楞原纸环压指标影响瓦楞纸板强度的因素外，其关键因素是瓦楞纸板生产过程中水分的控制问题。对于瓦楞纸板含水量的控制，笔者认为应着重对以下几方面进行控制。

简介：我是个不折不扣的数码发烧分子，在看完上期的《10款PSP超酷配件》后，我瞄上了NDS和PSP，准备最近“下手”。不过，最近网上盛传这两款掌上游戏机将会支持电视接收功能，因此我想在“下手”前搞清楚到底有没有这回事。

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：这些都是在使用Photoshop、PhotoshopElements和PaintShopPro时常常需要用到的。简单且效果理想的图像编辑技巧。

简介：美国休斯敦大学科学家们的研究发现了一种在非超导材料上诱发超导特性的方法，同时还可以增加已知超导材料的效率，对于提高超导体应用可行性是一个突破。

简介：iPodnano经常被模仿，但从未被超越。Sandisk的SANSAE250便是最近的一次模仿nano的尝试，它拥有2GB闪存，一个类似nano的转盘，比nano更大的屏幕，以及播放视频的能力。

简介：

简介：中国最大的江西铜业公司在年度报告中表示，希望国家在2007年继续保持铜的大量进口。政府方面或许会考虑减少国内铜的产量。中国的电网、铁路设施及其他基础设施均需求大量高级铜。

简介：有读者问：现在石油价格猛涨．请问一桶石油有多少，如何换算？《环球时报》9月7日刊登薛小乐的文章作答：桶和吨是常见的两个原油数量单位。欧佩克组织和英美等西方国家原油数量单位通常用桶来表示，中国及俄罗斯等国则常用吨作为原油数量单位。吨和桶之间的换算关系是：1吨约等于7桶，如果油质较轻（稀）则1吨约等于7．2桶或7．3桶。

简介：日本北陆先端科学技术大学院大学开发出了耐热温度超过300℃的植物性树脂。植物性树脂目前正逐渐应用于手机、个人电脑外壳，但存在耐热性能低的课题。以聚乳酸为主要成分的一般植物性树脂的耐热温度为60℃左右。因此，在实际应用时大多会通过混合石油系树脂和矿物提高耐热性。

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：~~