简介：

简介：2017年10月25日，由中国国际核聚变能源计划执行中心主办、核工业标准化研究所承办的RCC-MRx标准培训在北京圆满结束。此次培训是在RCC-MRx专项研究工作基础上开展的，旨在与中方ITER计划相关单位沟通目前研究成果，了解目前存在的主要问题，会同相关方更好地推进该标准的应用执行。

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简介：利用角分辨紫外光电子谱对乙烯和乙炔气体在Ru(1010)表面的吸附及与K的共吸附的研究结果表明：当衬底温度超过200K，乙烯即发生脱氢反应，σCH和σCC能级均向高结合能方向移动。在室温下，σCH和σCC能级位置与乙炔在Ru(1010）表面的吸附时的分子能级完全一致。乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K到室温，Ru(1010）表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化。室温下乙炔仍然可以在Ru(1010）表面以分子状态稳定吸附。在有K的Ru(1010）表面上，室温时σCC谱峰几乎。碱金属K的存在促进了乙炔的分解。

简介：从国内某二代改进型核电厂低压安注泵特性曲线偏离这一问题出发,分析了安全注入系统低压安注泵的性能要求特点。通过计算及对比低压安注泵可用汽蚀余量和必需汽蚀余量,从系统设计和调试角度提出了修正方法,使得该低压安注泵能够满足该核电厂运行要求。

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简介：本文通过对三聚氰胺(C3N6H6)的室温高压原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验（EDXRD），在14．7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1．3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8．2GPa又转变为正交相。

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简介：现今，我国核电建设规模不断扩大，核技术利用项目快速发展，其辐射防护尤显重要。其中在核与辐射建设项目辐射防护的设计和审评中，对剂量约束概念的应用，还存在很多误解。本文从剂量约束概念的引入、发展和建立，到剂量约束概念的意思、作用和应用范围，以及剂量约束概念和辐射防护相关概念的关系，进一步阐述对剂量约束概念的正确理解。

简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

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简介：SAXS被用于研究聚合氯化铝硅（PASC）絮凝剂的形态，0．1MPASC絮凝剂的分形数随絮凝剂中硅铝比的增加而增大，当硅铝比由0．025增加到0．075时，分形数由1．29增大到1．41。

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简介：冲击韧性Cv值是核级设备材料的一项很重要的指标，也是核电材料与常规材料的重要差别之一。本文汇集了各安全等级的设备材料的C值要求，可供核电设备设计、评审时应用。

简介：本文利用同步辐射角分辨光电子谱研究了f.c.c.Fe与Cu{111}之间的界面。观察到了位于表面布里渊区中K点附近的界面态，表明它是一个有序的界面。垂直出射的价带谱表明外来Fe原子对衬底Cu{111}的能带结构无任何影响。这与互混的Co/Cu{111}的结果不同，表明界面处不存在Fe与Cu原子之间的互混。

简介：Moleculardynamicssimulationswereperformedtostudytheinteractionbetweenatomichydrogenandsiliconcarbide.Inthepresentstudy,wefocusontheeffectofthesurfacetemperatureonHinteractingwithsiliconcarbide.ThesimulationresultsshowthattheretentionofHatomsinthesampledecreaseslinearlywithincreasingsurfacetemperature.ThedepthprofileanalysisshowsthatthesampleismodifiedbyHbombardment,andthedensityofHatomsisgreaterthanthoseofSiandCatomsneartheinterfaceregionbetweentheH-containingregionandthebulk.However,nearthesurfaceregionthedensitiesofH,SiandCatomsarealmostequivalent.Inthemodifiedlayer,thebondsconsistofSi-CandSi-HandC-H.ThefractionofSi-Cbondsisthegreatest.OnlyafewC-Hbondsarepresent.

简介：Ahighlyreliableinterfaceofself-alignedbarrierCuSiNthinlayerbetweentheCufilmandthenano-porousSiC:H(p-SiC:H)cappingbarrier(k=3.3)hasbeendevelopedinthepresentwork.Withtheintroductionofself-alignedbarrier(SAB)CuSiNbetweenaCufilmandap-SiC:Hcappingbarrier,theinterfacialthermalstabilityandtheadhesionoftheCu/p-SiC:Hfilmareconsiderablyenhanced.AsignificantimprovementofadhesionstrengthandthermalstabilityofCu/p-SiC:H/SiOC:Hfilmstackhasbeenachievedbyoptimizingthepre-cleanstepbeforecap-layerdepositionandbyformingtheCuSiN-likephase.ThiscaplayeronthesurfaceoftheCucanprovideamorecohesiveinterfaceandeffectivelysuppressCuatommigrationaswell.

简介：本文描述了用于测定中子、γ辐射墙中的中子、γ辐射的吸收剂量或比释动能的双剂量计的γ辐射校准,并测定了各项修正因子,给出了剂量计的校准因子其不确定度为1.4％,并校准了BIM提供的传递仪器,进行了比对,其结果相差小于1.0％。