简介：摘要：本文介绍了黏土结合碳化硅耐火材料的工艺和性能。首先，介绍了黏土结合碳化硅耐火材料的制备工艺，包括原料选择、配料比例、成型方法、烧成制度等。其次，详细阐述了黏土结合碳化硅耐火材料的物理性能和化学性能，包括体积密度、气孔率、强度、耐磨性、抗热震性、抗氧化性等。最后，总结了黏土结合碳化硅耐火材料的应用领域和发展前景。

简介：摘要：本文旨在探究碳化硅质耐火材料的化学分析方法，以期为该类耐火材料的性能优化、生产工艺改进和质量控制提供科学依据。通过综合分析当前碳化硅质耐火材料的研究现状及应用情况，结合实际案例，对常见化学分析方法进行了系统介绍和比较，为相关领域的研究人员和工程技术人员提供一定参考，推动碳化硅质耐火材料化学分析方法的进一步改进和应用，带动这类耐火材料技术的发展和创新。

简介：阐述了碳化硅的结构,粉体和制品的制作方法,探讨了碳化硅作为一种新型材料的应用现状和发展前景.

简介：文中提出了测定铝质、镁质等耐火材料中所含碳化硅的分析检测方法，结果令人满意，具有一定的实用性。

简介：

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简介：为了满足炼钢碳化硅类脱氧剂中碳化硅的分析，在参照国家标准方法的基础上，通过烧失率、助熔剂选择、线性化考核及精密度和准确度等条件试验，建立了红外吸收法测定炼钢碳化硅类脱氧剂中的碳化硅的分析方法。方法的回收率大于98％，相对标准偏差为0．5％～0．7％，准确度高，误差小，实用性强。

简介：碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能，被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等。重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类，阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素，展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景。

简介：摘要：本文从四个方面阐述了高压碳化硅芯片封装技术。

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：摘要：本文旨在深入研究半导体碳化硅（SiC）材料的成分分析方法，以提升其成分检测的准确性和效率。探讨了当前主流的碳化硅材料成分分析方法，包括化学分析法、X射线荧光分析（XRF）、四极质谱法（QMS）等，并比较了它们的优缺点。在此基础上提出了一种优化的成分分析方法，该方法结合了多种技术的优势，提高了分析的准确性和效率。通过实践应用验证了优化后的成分分析方法在碳化硅材料分析中的可靠性和准确性。

简介：摘要：碳化硅单晶材料具有优异的物理和化学性质，成为了众多高科技领域的重要材料。同时，在碳化硅单晶材料生产和应用过程中，残余应力的存在极大地影响了材料的性能和寿命。在碳化硅单晶材料的制备和应用过程中，残余应力的检测和分析是一个重要的环节。本文对于多种残余应力检测技术进行了介绍和比较，旨在为碳化硅单晶材料的生产和应用提供参考，促进相关技术的研究和发展。

简介：麻省理工学院的核反应堆研究所的研究人员发现涂层材料能够对反应堆提供更好的安全性、减少维护，并能在工业运行的条件下允许铀燃料更充分地反应。由于碳化硅（SiC）在高温下具有超凡的强度、与水和蒸汽的超低的反应活性、超低的中子吸收特性、

简介：摘要：在科技飞速发展的当今，碳化硅产业在全世界都稳健发展着。我国在吸取国际上的经验后，宽禁带半导体产业也形成了一定规模。从业者应将国外的先进技术作为借鉴，根据其经验，全面提高国产碳化硅的制造与研发能力。本文将对碳化硅行业现状以及技术难点进行论述，并分析未来发展趋势。

简介：通过对整流设备的测试和分析,制定改造方案。采用新技术,用较小的投资,不但解决了生产中出现的问题,还取得较大的经济效益和节能效果。

简介：摘要首先阐述了碳化硅材料的基本特性，介绍了碳化硅功率器件的种类及特点、典型应用。

简介：

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介： 摘要：为了准确表征纳米碳化硅粉末的粒径和结构，分别采用激光粒度仪、比表面分析仪、扫描电镜和透射电镜对同一批次纳米碳化硅粉末进行测试。结果表明，纳米碳化硅粉末的粒径基本集中在（50~112）nm，使用激光粒度仪测量的团聚颗粒，并不能完全表征单颗粒的粒径。利用表面积和粒径大小的几何相关性，可以表征纳米碳化硅粉末的粒径。使用扫描电镜和透射电镜微束分析技术不仅能够表针粉末形貌及结构，也能够客观表征纳米颗粒的粒径。

简介：摘 要：为改善化学机械抛光加工碳化硅试件过程中存在的表面质量差等问题，将超声振动辅助化学机械抛光加工碳化硅与化学机械抛光进行对比，研究超声振动辅助抛光的效果。