简介：

简介：摘要：《应用量子物理学》 多级 重大科学发现 ，用临界恒量 、自量子密钥基点 ，构建宇宙波八波阶 量子密钥 ，以统一场逐级质体八壳层 32流形量子密钥 、合成量子点的量子算法 ，将分数 量子合成量子点 ，用数学&物理学模型 描述，把量子密钥分数量子的量子点比对、标记，推向统一场多学科领域全面应用

简介：摘要：以3-巯基丙酸为配体，进行了CdTe量子点的调控制备。结果表明，通过改变反应时间，可以在540 nm到770 nm范围内调控量子点的荧光发射光谱；制备时间短，结果重现性好，荧光量子产率最高可达49.42%。

简介：摘要：碳量子点是近年来新兴的碳材料，本文综述了碳量子点的相关技术背景，按照“自上而下”法综述了碳点的技术演进路线。

简介：摘要：本文综述了碳量子点的相关技术背景，按照“自下而上”法综述了碳点的技术演进路线。

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简介：摘要：黑磷量子点（BPQDs）具有分散良好与尺寸分布均匀的优点。此外BPQDs拥有出色的发光及光热转换特性，目前BPQDs已被成功应用于探索多个新兴的领域，包括荧光传感等领域。

简介：摘 要：碳量子点具有良好的光学性质，是一种零维碳纳米材料，多种方式合成制备出的碳量子点粒径尺寸分布均匀，分散性良好，水溶性也较好，碳量子点的应用也非常广泛，在医学领域，化学合成，环境改善方面等都有很好的应用。

简介：【摘要】：量子点作为一种无机半导体材料，具有光化学稳定性好、发光光谱窄、色纯度高等特征，其发光颜色能利用控制粒径大小进行，在电致发光器件方面具有重要作用。基于此，本文围绕新兴的超高色彩还原度的高效长寿命On-Chip型QD-LED器件开发，建立On-Chip型QD-LED材料、设备、器件、工艺研发及产业化推广，致力于解决On-Chip型QD-LED用于照明及显示所面临的核心技术难题，目标是开发出具有独创性和自主知识产权的On-Chip型QD-LED照明与显示器件，引领量子点PL器件的技术变革。

简介：基于Lee-Low-Pines（LLP）的幺正变换，本文采用Pekar变分法得到的基态能量和波函数及其在电场的二维量子点中强耦合极化子的第一激发态，从而构建一个双极化子的量子比特。数值结果表明时间的振荡周期T0对量子比特的减小两电子概率密度随电场强度和介质的介电常数比η；在量子比特的两电子的概率密度q呈现周期性的振荡随时间t；出现的电子在量子点中心的概率较大，而出现了由量子点中心要小得多。

简介：采用非平衡格林函数方法求解量子输运过程，探讨结构对称性对双量子点干涉仪中量子输运的影响，结果表明，调节点一导线间耦合，导致双量子点干涉仪结构对称性和电子传输路径不同，使得电子隧穿并联双量子点结构呈现出一系列的新奇特性。当点一导线间的耦合强度不同，两量子点中阶梯状的平均电子占据数的分离程度不同，且两台阶的平缓程度也不同，证明了结构决定性能，也为设计可控量子器件提供一个理论依据。

简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

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简介：韩国多家研究院联合造出了第一个“大屏幕”全彩色量子点显示器，为开发下一代电视机、手机、数字相机和便携式游戏机等带来全新视野。

简介：位于美国罗利的北卡罗来纳州立大学的材料研究员调整了一项可以在一天内精确控制量子点纳米棒上的硅涂层生长的技术，是现有技术速度的21倍。除了节约时间外，其优势还在于使量子点更不易于失效，保持其优异的光学性能。

简介：摘要本文采用湿化学法合成硫化铅（PbS）量子点（QuantumsDots）。主要研究了实验条件的变化，例如Pb2+/S2-和SDS（十二烷基磺酸钠）/CATB（十六烷基三甲基溴化铵）的摩尔比以及反应时间对PbS晶体结构和形貌尺寸的影响。实验结果表明当Pb2+/S2-和SDS/CTAB的摩尔比均为11，反应时间为10分钟时，我们能成功制备出尺寸大小约为3~5nm且单分散性较好的PbS量子点。

简介：摘要：现代环境已经受到破坏，人们正常的生活已经受到影响。针对环境污染和检测这一领域受到人们的关注，其中量子点由于其特殊的荧光特性，广泛应用于物质检测等领域。

简介：介绍以光学系统来实现量子密码通信的原理和实验.以双狭缝量子干涉实验为例说明光子的波粒二象性,量子纠缠现象.简要介绍纠缠光子对和Bell不等式,重点介绍BB84和B92两种协议的编码原理和密钥分配过程,扼要介绍量子传态.分析了量子密码的实验发展现状,应用前景.

简介：综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。

简介：为初步探讨硫化镉量子点（CdSQDs）的细胞毒性作用机制,采用MTT毒性实验比较了CdSQDs和常规CdS对仓鼠肺细胞（CHL）的毒性效应以及细胞内外活性氧水平.结果表明,1）在较低暴露浓度（≤20μg·mL-1）时,CdSQDs细胞毒性显著高于常规CdS,而在较高暴露浓度（〉20μg·mL-1）时,两者相差不大.2）在较低暴露浓度（≤40μg·mL-1）时,添加N-乙酰半胱氨酸（NAC）可显著降低CdSQDs的细胞毒性,而在较高暴露浓度（〉40μg·mL-1）时,添加NAC对CdSQDs的细胞毒性没有明显影响.添加NAC对常规CdS细胞毒性没有显著影响.综合实验结果推测CdSQDs的细胞毒性与暴露剂量有关：在低浓度（〈20μg·mL-1）时,主要是活性氧的氧化损伤作用;在中等浓度（20~40μg·mL-1）时,活性氧和Cd2＋的释放共同作用;在高浓度（〉40μg·mL-1）时,则是Cd2＋的释放占主导地位.