简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：A2.4GHz0.18μmCMOSgain-switchedsingle-endLowNoiseAmplifier(LNA)andapassivemixerwithnoexternalbalunfornear-zero-IF(IntermediateFrequency)/RF(RadioFrequency)applicationsaredescribed.TheLNA,fabricatedinthe0.18μm1P6MCMOStechnology,adoptsagain-switchedtechniquetoincreasethelinearityandenlargethedynamicrange.ThemixerisanIQ-basedpassivetopology.MeasurementsoftheCMOSchipareperformedontheFR-4PCBandtheinputismatchedto50Ω.CombiningLNAandmixer,thefront-endmeasuredperformancesinhighgainstateare:-15dBofS11,18.5dBofvoltagegain,4.6dBofnoisefigure,-15dBmofⅡP3,-85dBmto-10dBmdynamicrange.Thefullcircuitdrains6mAfroma1.8Vsupply.

简介：上海宏力半导体制造有限公司发布其最新开发的0．18微米OTP（一次编程）制程平台。该平台基于宏力半导体自身的0．18微米逻辑制程，结合了第三方OTP，采用3．3V作为核心器件。与其它非挥发性记忆体解决方案相比，宏力最新开发的0．18微米OTP缩短了产品上市时间，为客户降低了制造及研发成本。其产品应用广泛，可适用于语音控制、远程控制、小家电或者触控面板。

简介：超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz~10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz~10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的。整体而言电路符合UWB技术所运用范围。

简介：<正>上海宏力半导体2日宣布其代工的O.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点,在使用较少光罩层数的同时,创造了业内OTP

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：这篇文章介绍一个L1乐队低噪音用0.18m互补金属氧化物半导体技术的综合全球放系统(GPS)接收装置薄片。与双变换一低--如果建筑学被用于这GPS接收装置。接收装置由低噪音放大器(LNA)组成，下面变换混合器，乐队通行证过滤器，收到的信号力量指示物，可变获得放大器，可编程的获得放大器，模数转换器，PLL频率合成器和其它给块调音。接收装置完成105dB和噪音数字的最大的获得不到6dB。可变获得放大器(VGA)和可编程的获得放大器(针网阵列)提供获得控制在50dB上的动态范围。当包括ESDI/O垫占据2.9mm2薄片区域时，接收装置从1.8V供应消费不到160mW。

简介：和舰科技（苏州）有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布，已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0．18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作，和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证，同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。