简介:摘要:BST(BaTiO3-SrTiO3)铁电陶瓷材料因其优异的介电性能和可调性,在微波器件、传感器和存储器等领域有着广泛的应用。纯BST材料的介电性能往往受限于其固有的介电常数和介电损耗,这限制了其在高性能电子器件中的应用。通过掺杂改性来优化BST材料的介电性能,成为研究的热点。掺杂改性可以通过引入不同的离子来改变BST的晶格结构和电荷分布,从而影响其介电响应。研究表明,适当的掺杂可以提高BST材料的介电常数,降低介电损耗,增强其温度稳定性和频率稳定性。深入研究掺杂改性对BST铁电陶瓷材料介电性能的影响,对于开发新型高性能电子器件具有重要的科学意义和应用价值。
简介:摘要:BST(BaTiO3-SrTiO3)铁电陶瓷材料因其优异的介电性能和可调性,在微波器件、传感器和存储器等领域有着广泛的应用。纯BST材料的介电性能往往受限于其固有的介电常数和介电损耗,这限制了其在高性能电子器件中的应用。通过掺杂改性来优化BST材料的介电性能,成为研究的热点。掺杂改性可以通过引入不同的离子来改变BST的晶格结构和电荷分布,从而影响其介电响应。研究表明,适当的掺杂可以提高BST材料的介电常数,降低介电损耗,增强其温度稳定性和频率稳定性。深入研究掺杂改性对BST铁电陶瓷材料介电性能的影响,对于开发新型高性能电子器件具有重要的科学意义和应用价值。
简介:摘要:BST(BaTiO3-SrTiO3)铁电陶瓷材料因其独特的铁电性和介电可调性,在电子器件领域展现出巨大的应用潜力。纯BST材料的性能往往不能完全满足现代电子器件对高性能、高稳定性的要求。通过掺杂改性来优化BST材料的电学性能,成为提升其在电子器件中应用性能的关键策略。掺杂改性可以通过引入不同的掺杂元素,改变BST的晶格结构、电荷分布和极化行为,从而实现对其介电常数、介电损耗、温度稳定性等关键性能参数的调控。这些性能的优化对于BST材料在微波器件、可调谐滤波器、传感器和非易失性存储器等电子器件中的应用具有重要意义。深入研究BST铁电陶瓷掺杂改性在电子器件中的应用,对于推动电子器件技术的发展具有重要的科学价值和实际应用前景。
简介:薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义,2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容:低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究;脉冲激光沉积(PLD)法Fe/Al合金薄膜研制;磁控溅射法Au/Gd,Ti/A1,Ti/Cr支撑薄膜研制;碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下:(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下:
简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得
简介:①当年不知哪位“勇士”壮胆品尝了一下螃蟹,从此为后人留下菜肴中的美味。现在有人却津津有味嚼吃了一种薄膜,也有可能导致改变迄今人类认为包装薄膜不能食用的固有观念。
简介:O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)