简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻，整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30％。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是误差大。基于二维电势模型，使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程，并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下，热电子发射电流已经无法忽略，因而考虑了热电子发射电流并联的影响，最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比，验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阚值区的电流。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET?功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电

简介：摘要： 随着自然环境的变迁和人类活动的影响 ， 沟道侵蚀问题逐渐成为威胁生态系统和水资源管理的重要挑战 。 本研究旨在深入探讨沟道侵 蚀的特征 ，通过对治理工程设计的优化研究 ，寻求可持续的治理方案 。通过对沟道侵蚀的形成机制 、发展趋势进行分析 ，结合实地调查和数值模 拟 ，本研究建立了一套全面的沟道侵蚀评估体系 。在此基础上 ，优化沟道治理工程设计，探讨了提高治理效果和降低生态影响的方法 。研究结果

简介：“义沟道宰印”印文印拓先后收录于《切庵集古印存》、《汉印文字征》、《印典》之中。义沟：《汉书·地理志·北地郡》载“义渠道，莽曰义沟。”其意是说王莽将“义渠道”之政区名称改为“义沟”政区名称。

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：摘要：混凝土沟道一次浇筑成型技术相比传统工艺（二次浇筑），简化了工序、缩短了工期，有效的避免了传统方法二次浇筑时施工缝处有渗漏隐患的弊端，大大提高了沟道性能，在地下水位交浅的施工环境中尤为使用，值得推广。

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：摘要本文主要针对球轴承沟道精研加工工艺展开探讨，分析了球轴承沟道精研加工工艺的改进方法，并对其具体的措施进行了总结和分析，希望能够为今后球轴承沟道精研加工提供参考。

简介：

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。

简介：

简介：ＤｙｎａｍｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｈａｒｉｎｇｉｎＰａｒａｌｅｌｉｎｇＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ①ＷＡＮＧＢａｏｃｈｅｎｇ，ＷＵＷｅｉｙａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂ...

简介：ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。STripFET技术采用优化的版面没计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。

简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。