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  • 简介:用蒸发/冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜,用广延X射线吸收精细结构(EXAFS)慢正电子束进行研究。与相应本材料相比,虽然未发现Cu-Cu键长有明显收缩,但其配位数减少,结构无序性增加。同时,讨论了制备条件其微结构影响。

  • 标签: EXAFS 扩展X射线吸收精细结构 氟化锂 慢正电子束 结构无序性
  • 简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅大小在薄膜晶态比Xc随氢稀释度提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度增加而增加。结合红外谱小角X射线散射结果讨论与比较了不同相结构下硅网络H增加而增加。结合红外谱小角X射线散射结果讨论与比较了不同相结构下硅网络H键合状态。认为随着晶化发生晶化程度提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜H存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜主要以SiH2形式存在于晶粒界面。

  • 标签: 氢化 小射X射线散射 稀释 制备 微晶硅薄膜 微结构
  • 简介:根据8.5XAFS束线改进工程需要,我们设计了一种应用于同步辐射光束线狭缝,该狭缝不但可限制同步辐射光束截面尺寸,同时具有光束线位置探测功能。可以方便地测量光束垂直分布中心位置:迅速准确地准直狭缝对光束移动做实时监测。

  • 标签: 束线位置探测功能 8.5XAFS束线改进工程 同步辐射光束线 狭缝
  • 简介:应用扩展X射线精细结构(EXAFS)技术研究了化学改性MnO2结构形态。结果表明:掺杂元素铋进入MnO2晶格,增大MnO2不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程,铋氧化态保持稳定,MnO2没有发生结构重排。

  • 标签: 二氧化锰 掺杂 改性 EXAFS MNO2
  • 简介:高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al2O3/Si外延生长,单晶衍射法证明应用低压CVD高真空外延技术在我们实验室生长出γ-Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们结晶关系是(100)γ-Al2O3//Si,[010]γ-Al2O3//[010]Si。

  • 标签: 异质外延 氧化铝 X射线 测试 半导体
  • 简介:通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面,考察了催化剂前驱体相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构X射线衍射法原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明,催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散形式存在,其化学组成主要为FeOOH,且催化剂前驱体分散程度与载体煤物理化学性质有关。

  • 标签: 表征 硫化铁 原位担载 催化剂 前驱体 煤液化
  • 简介:本文在分析了北京同步辐射室4B9B原束线低能分支构造弊病后,在不影响束线高能分支性能及总体机械结构基础上提出改进方案。文中不仅详细介绍了该设计方案,同时也介绍了97年4月份专用光开始前夕调试工作出光后束线性能测试工作,测试结果完全符合设计要求。该束线在这次同步辐射专用光实验充分发挥了改进后优势,取得了令人满意结果。

  • 标签: 4B9B束线 低能分支 性能改进 北京同步辐射室 X光光束线
  • 简介:研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo成分掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,Co元素分布不相同。

  • 标签: FeMn/Co多层膜 BI 微结构 磁控溅射法 界面 反铁磁/铁磁交换偏置系统
  • 简介:稀土硼酸盐在真空紫外(VUV)波段吸收与化合物硼酸根离子结构有关,扩展Hueckel计算表明,硼酸根离子B-O成键轨道与B-O反键轨道能量差按BO4^5>B2O5^4->BO3^3->B3O9^9-顺序减小,这与VUV激发光谱实验结果一致,表明VUV激发过程对应于电子从B-O成键轨道向反键轨道跃迁。

  • 标签: 结构 荧光性质 稀土硼酸盐 真空紫外 激发光谱 荧光材料
  • 简介:测定了真空蒸镀WO3薄膜电致变色前后谱,发现钨原子与周围氧原子作用距离随着阳离子(K^+,Li^+)注入电量增加而增加,说明阳离子注入WO3微结构有影响。

  • 标签: 三氧化钨薄膜 电致变色 EXAFS 微结构
  • 简介:利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备Φ2"晶片位错缺陷。发现LEC晶体缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度杂质掺入水平,讨论了位错分布差异原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:采用XAFS研究不同制备条件下超细Ni-P非晶态合金Ni原子配位环境周围局域结构。结果表明在pH小于11条件下,样品非晶化程度随pH减小而增大;当pH为14时,样品Ni区域环境结构与金属Ni相近。不同退火温度样品XAFS结果表明,在300℃温度下退火,超细Ni-P非晶态合金基本晶化生成晶态物相。

  • 标签: XAFS 化学还原法 超细Ni-P非晶态合金 镍磷合金 催化剂 局域结构