简介：质谱（MassSpectrometry）是带电原子、分子或分子碎片按质荷比（或质量）的大小顺序排列的图谱。质谱仪是一类能使物质粒子高化成离子并通过适当的电场、磁场将它们按空间位置、时间先后或者轨道稳定与否实现质荷比分离，并检测强度后进行物质分析的仪器。

简介：本文介绍了采用Soft-Skip开关模式以降低电源待机功耗的原理。这种待机状态下的开关模式可以有效降低因开关频率过低产生的音频噪声，并且可以对进入Soft-Skip模式的电平进行调整以适应不同的负载需求。最后，试制了一台输出为12V／5A的反激电源对这种待机模式进行验证。

简介：基于FM广播的无源探测系统，因为其抗隐身、反侦察、生存能力强和可靠性高等特点，成为现有探测技术的一种有效补充，备受各国重视。在实际工程应用中，经常受到临近城市间的同频或临频电台信号干扰，严重削弱了该体制雷达的性能，限制了其应用。针对这种情况，分析了干扰电台信号对系统的干扰原理，给出了抑制这种干扰的自适应算法。对实际信号的仿真结果表明，该方法有效地抑制了电台干扰信号，检测到干扰抑制前系统无法检测到的目标。

简介：研究了非合作运动辐射源照射条件下的动目标检测问题。分析了此背景下地杂波空时频分布特性,并结合非合作系统数据处理特点提出了基于杂波方位抑制的目标检测方法,该方法利用杂波与目标在空时频三维域上可分性特点解决了时频二维域上杂波覆盖目标的问题,将非合作领域中一般的时频检测方法改进为杂波方位抑制基础上的时频滤波,仿真结果表明在双基地背景下,当目标信号与杂波信号在空时频三维域不重合时,结合阵列天线的方位抑制能力该方法能够有效地抑制杂波,实现地杂波背景下的动目标检测。

简介：在现代电子产品中，无源器件数量超过有源器件数量十倍的现象非常普遍。在空间为主要因素的众多无线通讯产品如手机中，特别需要集成无源器件。这种器件的芯片级封装通过把所有电路无件紧密结合在芯片本身的焊盘位置内来优化印制电路板的空间利用。本文提供了模拟的器件和实际达到的器件性能，也讨论了芯片级封装的优势和可靠性因素。

简介：为了提高煤矿无刷直流电机控制系统的可靠性，在分析煤矿无刷直流电机控制方式的基础上，设计一种基于IPM的矿用无刷直流电机控制系统。提出控制系统的整体设计方案，并对功率驱动电路、电流检测电路、位置和转速检测进行详细设计。同时，设计声光报警电路，提高了控制系统的稳定性和安全性。

简介：<正>采访香港中文大学卢煜明教授是在港中大李嘉诚医学院进行的。从深圳家中出发、过关,进入香港,再转乘地铁至目的地,耗时约3个半小时。然而,伴随一路的不是行程的疲惫,而是即将与世界顶级科学家对话的忐忑。没想到的是,一见面,卢教授那温文儒雅、谦逊亲和的风度就将我的忐忑不安一扫而光。卢煜明教授初一接触给人的印象是高德如山,博学似海。其在分子诊断领域取得的成就,亦是可以

简介：在丰台区吴家村附近工作的胡先生反映：8月13日开始，同事们在单位用小灵通通话时听不到对方声音。我们当即向10060客服反映此事，两天后接到自称网通工作人员电话通知“已经修好”，但情况并没有好转。此后我们又多次反映，网通也几次回复。17日最后一次回复称“基站在8月12日雷雨中被雷击坏，同日北京有100多台基站同时遭击，拿去南方修理需要半个月”。信号至今没有恢复。

简介：无铅化电子组装中，由于原材料的变化带来了一系列工艺的变化，随之产生许多新的焊接缺陷。本文针对“黑盘”现象进行了产生机理分析，并给出了相应的解决措施。

简介：国际电子制造联盟（iNEMI）最近设立了一个任务小组，以满足那些在RoHS指令产品内领先，或者其产品在RoHS指令范围之外的OEM厂商的要求。该锡铅（SnPb）GBA可用性任务小组，将于2007年1月在美国SanJose举行其首次工作会议，OEM和BGA供货商将齐聚一堂。

简介：赛米控日前推出了一款100％无焊接IGBT模块。该模块适用于电力和混合动力车辆中的22～150kW机车驱动转换器。与带基板和焊接端子的模块相比．SKiM的温度循环能力可以高出5倍。

简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

简介：在SMT制造过程中相当多的企业会碰到立碑现象，特别是在无铅工艺技术应用后，由于无铅锡膏的浸润性变差，这种现象更为突出，工程师们在解决这个问题时方法各异，众多SMT技术论坛有非常多的技术人员在寻找解决方法，为有效解决这种现象，现从力学的观点来具体阐述。

简介：用实验和有限元的分析方法研究0．05mm～0．125mm铝线的引脚跟断裂问题，结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素。模拟不同的回流焊温度曲线（220℃、240℃、260℃）对铝线的影响，发现在铝线引脚跟处应力和应变最大，而且随着温度的上升，铝线引脚跟处的塑性变形会提高20％，这对铝线的疲劳损伤是很严重的。

简介：综合分析了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的国内外研究现状,概述了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性、微观组织、界面反应、力学性能、焊点可靠性、物理性能等性能特点。从钎焊工艺、添加微量元素等方面阐述了Sn-Cu-Ni系钎料各项性能的影响因素,并对Sn-Cu-Ni系钎料的应用前景和研究方向进行了展望。

简介：本文以异步电动机矢量控制原理为基础,研究基于MRAS的无速度传感器矢量控制系统。介绍一种改进型电压模型转子磁链观测方案,采用Matlab/Simulink软件进行了仿真实验。实验结果证明该方法能够较准确地估算转子磁链和转速,系统运行良好。

简介：该文介绍了挠性印制板的发展状况、无粘接剂挠性覆聚酰亚胺薄膜的优点、技术要求及其应用领域.

简介：一、前言面对无铅焊接时代的来临，各种取代传统的喷锡技术的表面可焊处理日趋发展。针对电路板板面焊盘、电镀通孔、IC载板腹底焊锡球焊盘而言，目前较为成熟、可上线量产者计有化学浸金ENIG、化学银ImmersionSilver、有机保护焊剂OSP（OrganicSolderabilityPreservatives）等。随着耐热型有机保焊剂的推出，OSP工艺的成本低、焊接强度高、可耐多次回焊处理、制作简单、废水处理容易等优点，日益获得业界重视及使用。

简介：设计了一种新型无运放的带隙基准电路,利用电流镜和负反馈技术省去了运放,消除了运放带隙基准电路中失调电压对基准精度的影响,提升了电源抑制比。相比于传统的无运放带隙基准结构,该新型电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.35μm的BCD工艺,在CadenceSpectre环境下进行了仿真。在5V电源电压下,电源抑制比为79dB,-40~125℃温度范围内的温度系数为4.2×10-6/℃。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。