简介：<正>丰桥科技大学(ToyohashiUniversityofTechnolog)最近演示了如何将GaN发射器和其他光学材料集成到硅衬底中。研究人员称已经解决了硅和Ⅲ-Ⅴ族材料晶格失配的问题,从而使未来硅芯片上引入光学部件成为可能。硅光子学已经验证了大部分的光学功能,包括波导、谐振和开关,但是对于

简介：全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIXG5＋C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。