简介:介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。
简介:
简介:挪威太阳能大厂RenewableEnergyCorporationASA(RECASA)近日发布新闻稿宣布,由于硅晶圆现货市况持续趋疲,因此为了减少曝险程度,该公司决定在2012年第1季将将挪威Glomfjord单晶硅制造厂的产能暂时关闭50%。该厂的产能原本为300MW(百万瓦),预期产能降低将对65名员工造成影响。
简介:利用核反应^30Si(n,γ)^31Si→β^-^31P,硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值,测得的电阻率分布情况表明,掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明,这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400~5200V的电压阻断容量。
简介:日前,总投资7亿元的硅能蓄电池项目,在来安县正式签约。该项目由北京汇中基业投资管理有限公司投资建设,建成后可年产硅能蓄电池300万只,年销售额将达19.4亿元。硅能蓄电池是我国拥有自主知识产权的“环保、节能、高效”产品,2005年投放欧共体市场后广受欢迎。这种电池用硅能替代了传统电池中的铅酸,产品在生产、使用。
简介:我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!
简介:评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。
纳米硅开关二极管及其应用
可准确感测温度的硅热敏电阻器
挪威太阳能厂REC关闭单晶硅厂50%产能
用无条纹硅制造的整流管和晶闸管的击穿行为
汇中基业建硅能蓄电池厂建成后可年产300万只
从“可怕硅”、“摸死管”谈起——写在第四届电力电子论坛开幕之际
中子嬗变掺杂硅(NTD—Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一