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17 个结果
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲晶格应变是达到高质量SiGe外延的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:利用同步辐射对合成金刚石晶体中面状缺陷进行了形貌学研究。在晶体中观察到多个错和一个由两个错三角形组成的错四面体。计算了错及错四面体各个边界的方向指数,确定了各个错的面指数。根据错的消像规律.确定了各个错的位移矢量。除一个错为Frank型简单层错外。其余错皆为既具有Frank位移,又具有Shockley位移的复合型错。分析了错的形成机理。错尺寸火小在0.68-1.15mm之间,是前人在合成及天然金刚石中从未见到的。

  • 标签: 合成金刚石晶体 层错 同步辐射 方向指数 位移 面状缺陷
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层
  • 简介:本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001)外延的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延中片状六角相与立方相之间的取向关系为:(111)//(0001)、<112>//<1010>。由于(111)Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的(111)Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。

  • 标签: 立方相 GAN 外延层 X射线四圆衍射分析 氮化镓 外延生长
  • 简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。

  • 标签: 微马达 LIGA技术 光刻 掩膜 电铸 同步辐射
  • 简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

  • 标签: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射
  • 简介:利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

  • 标签: 同步辐射 X射线 实验技术 应用 掠入射衍射 表层结构
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术
  • 简介:X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法,研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布,所得结果表明,300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。

  • 标签: Δ掺杂 表层深度分布 锑原子 X射线反射 同步辐射 分层副近法
  • 简介:用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理的,腹腔注射CdCl2的及注射后用新型的络合剂促排的三组Wistar大鼠的肾切片。结果表明Cd主要分布在肾的皮质部分,而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间的关系;在正常鼠肾中,元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为一类,它们在肾中的分布有较强的共位性,处于平均状态;急性中毒时,Cd与Se的距离最近。有较强的相互作用。其次是与Ca,此时元素的分类不明显,平衡被打乱;中毒后用新药促排的Se和Zn强相关并聚为一类,其它元素间的相关性变弱,元素基本上又趋于分为两类。

  • 标签: 微量元素 多元统计分析 同步辐射微束扫描分析 元素位置分布 肾损伤 急性镉中毒