简介:采用准静态模型近似描述地表异常电场传播到电离层的过程,建立了强震前带电气溶胶排放产生的附加电流,造成大气层一电离层传导电流扰动,最终造成电离层中电场扰动的计算方法;分析了电离层中电场发生明显扰动的区域大小与带电气溶胶排放参数的对应关系,并根据我国川滇地区和大华北地区强震等震线的特点,计算了不同等震线长短轴比值下,电离层中电场扰动面积随地震震级及带电气溶胶数密度的变化规律。结果表明:强震前气溶胶浓度远大于能引起电离层异常的最小气溶胶浓度值,会在地表处产生一个幅值小于100V·m-1的异常电场,并在电离层内产生幅值大于10mV·m-1的扰动电场;在相同气溶胶粒子数密度和相同震级条件下,等震线长短轴的比值k越小,电离层中电场异常区域越大。
简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.
简介:针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。
简介:为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.
简介:针对珠海“国家园林城市”需要定量评估的问题,利用遥感模型和Landsat卫星图像反演地表温度、NDVI植被指数和MNDWI水体指数,定量分析其空间分布特征及影响关系。结果表明,大部分居民区的绿化覆盖率较高,NDVI在0.1~O.2,而大部分林地的NDVI在0.4~0.5,没有出现连续大面积的高地表温度区。NDVI〉O.3时,地表温度随NDVI的增加而快速下降,而NDVI在0.0~0.3地表温度随NDVI的增加而升高,平均地表温度峰值在NDVI为0.3,裸露的海滩、河滩等滩涂表面温度较低,减弱了裸露人工建筑高温像元的影响,使得结果与已有对其它内陆城市的研究不同。地表温度随水体指数的增加而降低,呈负相关关系。茂密的绿化林地、海洋等大面积水体、大面积滩涂和沼泽等湿地对调节珠海城市热环境发挥重要作用。