简介：提出一种新的IGBT闭环变电阻驱动策略来增强开环变电阻策略的实用性,并改善开通/关断特性。该策略通过检测IGBT集电极电流变化率（di/dt）与电压变化率（dv/dt）,对正常开通/关断过程中门极电阻的切换进行闭环控制,在保证IGBT安全工作、防止产生较大电磁干扰的前提下,加快IGBT开关速度并减小开关损耗。最后通过仿真验证了该策略的可行性。

简介：

简介：IMS公司推出的新款系列局部缠绕端接电阻提供了外露型焊接片，是推进倒装贴片端接节点的可视化检测而设计的。

简介：本文论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展，提出了氧化镜压敏电阻器选用原则，简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。

简介：目前大多数工业用交流电机是采用接触器控制的绕线式异步电动机转子回路串分级电阻开环调速系统。这种调速方法存在着严重的缺点,主要有低速时机械特性较软,静差率较大,调速范围受到限制。本文介绍的转子电阻斩波调速是在转子回路串一个固定电阻与一个斩波器并联构成。通过对固定阻值进行斩波控制,实现对固定电阻的无级调节,从而实现电机转子的无级调节。该系统易于实现闭环控制、控制精度高、平稳性好、装置体积小,投资少,因而在对传统的起重机拖动系统进行改造时是一种较好的方案。

简介：手机、汽车、计算机及各类电子产品上，都离不计一个小小的“多层片式压敏电阻器”。然而，我国目前尚无一家企业大批量生产这一微电子器件，所需产品完全依赖进口，每年耗费外汇2亿美元。

简介：本文就CJB165－93中的“方法5020体积电阻率与表面电阻率”在某些叙述上的错误和不够严谨这处作了探讨，也为今后修订该标准提出了一些建议。

简介：

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。

简介：IRC公司推出散热性能更佳的圆柱形功率电阻，适用于高热环境和热绝缘应用。这款SMC系列圆柱形金属釉功率电阻，于1，000℃下在固态陶瓷基底上烧制了金属釉厚膜，并具有一个防潮的高温绝缘层。该产品采用了金属“帽”，因而与平面片式元件相比具有良好的散热性能和抗浪涌／冲击能力，同时还有助于降低成本。

简介：

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。