简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：当工业4.0概念来袭,智能化、网络化热潮空前高涨,＂中国创造＂的呼声也越来越高。但是,我们在抢占制造业制高点的时候,也不应丢弃我们已有的优势和地位。＂中国制造＂需要进一步强化和升级,靠什么？

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。

简介：2009年12月19日，河北华整实业有限公司承担的河北省科技支撑计划项目《钨铜新型电子复合材料》鉴定验收会议在石家庄成功召开。会议经河北科技厅组织，由衡水市科技局主持，邀请有关专家组成鉴定委员会和验收委员会。景县县委、政府对该项目产品的研发成功和鉴定验收予以高度重视，政府县长李建刚同志、刘兰智副县长参加了此次会议。

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。