简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：1引言变频器作为一种变流器在运行过程中要产生一定的功耗。由于使用器件不同，控制方式不同，不同品牌，不同规格的变频器所产生的功耗也不尽相同。资料表明变频器的功耗一般为其容量的4～5％。其中逆变部分约占50％，整流及直流回路约40％，控制及保护电路为5～15％。10℃法则表明当器件温度降低10℃，器件的可靠性增长一倍。

简介：IMS公司推出的新款系列局部缠绕端接电阻提供了外露型焊接片，是推进倒装贴片端接节点的可视化检测而设计的。

简介：TTPCom有限公司(TTPComLtd.)是TTP通讯上市公司的主要运作子公司。是世界领先的数字无线终端技术的独立供应商，公司为那些从事基带和无线芯片开发的半导体厂商和从事移动设备如PDA和PCMCIA卡等开发的终端制造商提供GSM／GPRS／EDGE和3G平台。

简介：本文简要叙述了现代生产制造技术在国民经济中的地位以及在当今社会经济、技术条件下。

简介：本文介绍．对于许多板来说，由于不适当的可测试性设计(DFT．designfortestability)而失去对关键节点的探测可能完全地毁坏缺陷覆盖率。

简介：本文叙述了供热空调系统运行中存在水泵耗能量较大，运行效率较低等问题，分析了能耗大的原因，提出了应从设计、设备、调速方法等诸多方面采取相应措施。并重点强调了变频调速是降低能耗提高效率最有效的方式。

简介：晶闸管投切电容器（TSc）由于控制简单，成本低廉，在实际中得到了广泛的应用。本文介绍了基于dsPIC30F6014的数据采集系统和S3C44BOX的主控系统构成的无功补偿控制器的工作原理，并提出了采用DMA的方式实现上位机和下位机的通讯，提高了CPU的利用率。结果表明，本无功补偿控制器具有良好的补偿效果。

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

简介：本文阐述电力电子的应用领域和未来电力电子系统的预研课题：Ⅰ.工业系统集成Ⅱ.汽车的机械电子集成和Ⅲ.高频电力电子。

简介：本文介绍了变频器转换柜的结构，基本功能，工作原理和一、二次接线图。

简介：电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展。

简介：

简介：给出了采用嵌入式芯片来对太阳进行角度跟踪和太阳能电池板最大功率点跟踪，从而实现用太阳能对用电电路进行充电的太阳能充电系统的设计方法。利用该方法可以对太阳能进行充分利用．以使太阳能电池保持最大的输出功率。

简介：在过去的十年中，电子装配工业已经测试了大量的合金种类以替代传统的63/37共晶系统。许多被提议的合金系统从技术的角度上看都是非常可行的。可是一涉及到诸如价格、可行性和实际生产等问题时又有诸多不足。本文的目的在于为大家介绍一些无铅焊料发展的情况和一种可以实现简单、实用的无铅工艺包含。

简介：

简介：本文简要分析了印制电路板可靠性对武备实现整体性能的重要性，以及在对印制电路板质量监督和检验验收过程中存在的误区。立足多年实践，分析了影响印制电路板可靠性的主要因素，提出了针对这些因素重点加强武备印制电路板质量控制工作的重要性和应把握的几个问题。

简介：三菱电机宣布，该公司于8月24日发布的、预定于10月下旬上市的10款空调产品中的两款“全球首次采用了基于SiC功率半导体的逆变器模块”。由此三菱电机部分提前了预定在2011年度开始的SiC功率半导体的量产时间。