简介:从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。
简介:摘要目前重庆市万盛经济技术开发区应用开发项目中通过调节配合比设计制备了多种粉煤灰混凝土,该项目系统研究了粉煤灰掺量、种类、水胶比和养护龄期对混凝土抗碳化性能的影响。结果表明混凝土碳化深度值和碳化速率均随粉煤灰掺量增加而增加,碳化120d后W35F60的碳化深度值约为W35F0的7倍;混凝土碳化深度值随水胶比增加而增大,当粉煤灰掺量为40%时,混凝土最佳水胶比为0.30,其120d碳化深度值仅11.28mm;混凝土抗碳化性能Ⅱ级粉煤灰>Ⅰ级粉煤灰;养护龄期越长,混凝土抗碳化性能越强,当养护龄期为90d时,混凝土碳化深度值是养护龄期28d的79.47%。