简介:最近在我国进行的大学英语四、六级统一考试中新增加了听写这一测试项目,随之,学者及教师们对听写这一传统的教学与测试手段开始了新的探索和研究。一、CET4增加听写测试的原因大学英语四、六级考试自一九八七年推出以来,对大学英语教学起了极大的推动和促进作用,并在社会上产生了广泛的影响,许多包括外企在内的用人单位已把"大学英语四、六级证书"作为求职或应聘的条件之一。那么为什么进行了近十年的大学英语四、六级考试要调整测试题型,尤其是增加听写这样的主观性测试呢?原因之一,随着我国改革开放政策的不断深入推行,我国的社会经济也在迅速发展,社会对英语这一交际语言的需求也越来越大,而1985年根据八十年代中期整体教学要求设定颁布的《大学英语教学大纲》已不能满足高新企业
简介:综述了研究CaCu3Ti4O12材料反常巨介电特性的理论和实用意义.给出了CaCu3Ti4O12结构示意图和X射线衍射(XRD)谱.评述了制备不同维度CaCu3Ti4O12材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能测定方法.从内禀和外赋的角度,分析了影响CaCu3Ti4O12巨介电特性的各种可能因素.指出了目前该材料研究需要解决的一些问题.
简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.