简介:采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比.32分别为0,2%,4%,6%,8%的Ba(Ti1-xMnx)O3铁电薄膜。研究发现:当x为6%时,漏电流和矫顽场均达到最小,与未掺杂时相比,漏电流降低了约3个量级,矫顽场电场强度降低了约60%,P—E回线的矩形度增加。实验结果表明:通过适量掺杂Mn离子,可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能,提高铁电薄膜的极化,降低薄膜的漏电流。
简介:利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。
简介:用有限时域差分方法(FDTD)对比研究了下列二维光子晶体的带隙:第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。