简介：通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As超富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)中As的化学形态及其在植物体中的转化。结果表明，在大叶井口边草中As主要与0配位，根部存在与GSH结合的As，但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理中，植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主，但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程中具有向As(III)转化的趋势，其转化过程主要发生在根部。实验证明，As-GSH并不是大叶井口边草中砷解毒的主要机理，超富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。

简介：

简介：本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统的设计思想、设计要求、系统的作用和某些改进。此外，系统在设计了上采用了新技术－可编程序控制器（PLC），使控制系统的可靠性和灵活性得到了进一步的提高。研制这个系统的主要目的是，当光束线上出现（由铍窗或波纹管等偶然破裂引起的）灾难性真空事故时，能够有效地保护北京正负电子对撞机中的大型超高真空装置－电子储存环的真空系统不会遭到这种灾难的破坏，使其安全运行。本光束线的真空控制保护系统于1996年投入试运行，于1998年年底通过院级鉴定和验收。

简介：本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置（BSRF）上的3W1高功率（总功率为2.54W）扭摆磁铁（Wiggler)光束线（包括前端区、3W1A和3W1B）而设计和建造的。主要建造目的是，保护北京正负电子对撞机（BEPC）电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏，以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外，在活动水冷挡光罩关闭之前，为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏，在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统，系统设计是以F1－60MR型可编程序控制器（PLC）为基础的，PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。

简介：阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程，并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻，得到了深度为500μm，深宽比达8．3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时，对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。

简介：在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。

简介：利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

简介：X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位，以建立纳米级长度基准，从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性，因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点，并考虑到X射线的吸收特性，用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室（BSRL）4W1A束线上选择17．5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验，在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

简介：

简介：本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展，其中，最细尺寸已达50纳米。

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

简介：使用同步辐射X射线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量。获得了Ca、P、K、Fe、Zn、Sr、Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。

简介：使用同步辐射X线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量。获得了Ca、P、K、Fe、Zn、Sr、Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。

简介：使用同步辐射X射线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量，获得了Cu,P,K,Fe,Zn,Sr,Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。

简介：X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。

简介：用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理的，腹腔注射CdCl2的及注射后用新型的络合剂促排的三组Wistar大鼠的肾切片。结果表明Cd主要分布在肾的皮质部分，而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间的关系；在正常鼠肾中，元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为一类，它们在肾中的分布有较强的共位性，处于平均状态；急性中毒时，Cd与Se的距离最近。有较强的相互作用。其次是与Ca，此时元素的分类不明显，平衡被打乱；中毒后用新药促排的Se和Zn强相关并聚为一类，其它元素间的相关性变弱，元素基本上又趋于分为两类。