简介：通过双桥反应机理、电环合反应和催化反应三个不同类型的过渡态优化,说明当标准方法难以给出结果时,对物理问题本身的分析有助于给出过渡态优化的线索.第一个例子根据化学问题给出限制条件,通过平衡几何构型优化方法优化得到过渡态;第二个例子是在使用标准过渡态优化方法失败后,根据物理问题从反应途径上用平衡几何构型优化方法选择过渡态优化的初始结构;第三个例子通过Gaussian98程序中的标准方法QST2直接得到过渡态.

简介：综述介绍了近5年来过渡金属催化下异腈参与的多组分反应的研究进展.

简介：由于纳秒级的脉冲信号在平板结构传输中，辐射损较大，因此对于瞬态脉冲信号的传输一般采用同轴结构。超宽带脉冲信号的辐射较常采用TEM喇叭天线，由两片三角形的平面极板构成。对于应用TEM喇叭（或将其作为抛物面天线馈源）辐射高功率超宽带脉冲信号，一个重要的问题是如何将高功率脉冲信号由同轴传输线过渡到平板结构天线。

简介：在物理教学中如何激发学生的学习热情，让学生轻松、顺畅、积极地进行高效学习，课堂教学中精彩、自然、有趣的衔接是极其重要的．巧妙的衔接能激发学生的求知热情，提高课堂的有效性，增强学生的逻辑思维能力，使物理学习不再枯燥、乏味．那么如何才能实现巧妙过渡呢？对此笔者有以下几点思考．1．实验衔接,激发兴趣

简介：压强在几十个兆巴到上百兆巴之间的过渡区状态方程一直是实验室和工程应用中关心的重要问题，在这个范围内既没有实验数据也没有很好的理论来描述，例如，密度泛函的方法由于不含温度而无法适用于过渡区：TF模型的计算由于过渡区的温度压强不太高而使得结果不再令人满意。文中对同类的平均原子结构作了几点改进：（1）考虑了稠密物质中的势阱效应，对传统平均原子模型作动态自由电子判据改进；（2）将准自由电子细分为4个部分，分别处理；（3）修改了中心场近似下正能态波函数的边界条件。在计算压强方面，考虑了共振态对电子压强的影响，引进了量子交换效应和库仑关联效应对压强的贡献。

简介：用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂,并通过群链的分解,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理

简介：课改倡导课堂教学要营造一种轻松愉悦的氛围，让学生大胆地发表自己的见解，展示自我，使学习活动成为一种生动活泼、主动发展和富有个性的过程，但是，我们在课堂上却常常看到这样的现象：发言的学生讲得津津有味，别的学生或东张西望，或挤眉弄眼、或旁若无人地干着自己的事……

简介：利用量子化学从头计算法ＲＨＦ／４３１Ｇ基组对氢氰酸硼氢化反应中的电子行为和轨道对称性进行了讨论．结果表明：在氢氰酸硼氢化反应中，从表面上看是对称性禁阻的“类四中心”过渡态，实质上是对称性允许的两组四中心三轨道相互作用．

简介：摘要在地震作用下，火电厂混凝土框架结构会发生变形，影响整体的抗震性能、受力性能。而且，现有的燃煤机组，也无法满足脱硝装置荷载。因此，结合实际对其进行改造和加固非常重要。本文结合工程案例，分析了火电厂混凝土框架结构改造及加固设计方案，为日后工作提供参考。

简介：聚氨酯（PU）是目前合成材料中十分重要的品种，具有可发泡性、高弹性、耐磨性、高黏接性以及极好的绝缘性能，被广泛的应用在航天、电子、生物等领域作为胶黏剂、灌封剂、阻尼减震材料和生物高分子材料等。利用酸酐与聚氨酯预聚体的聚合反应合成了一系列的含有均苯四酸二酰亚胺结构的聚氨酯-酰亚胺（PUI），着重研究了均苯四酸二酰亚胺结构对共聚物的热性能和动态力学性能的影响。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：报道了钨硼杂多阴离子[BW11O39M(H2O)]7-(M＝Co2+,Cu2+,Ni2+)中配位水与奎宁的取代反应,利用UV-vis和ESR谱进行了表征,并且测定了配合物的旋光度,结果表明奎宁取代了杂多阴离子中的配位水,与杂多阴离子中的取代过渡金属原子形成了配位键.奎宁与杂多阴离子键合生成的杂多配合物,仍然具有旋光活性,其中含Cu2+的奎宁杂多化合物保持了奎宁的左旋特性,而含Ni2+的奎宁杂多配合物由左旋变为右旋.并初步探讨了取代反应的机理.

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：沿试验段侧壁发展的附面层是影响飞行器半模型实验数据精准度的主要因素之一．利用数值模拟方法验证了涡流发生器减小附面层影响的可行性，重点分析了安装角度、结构尺寸、安装位置及个数等设计参数对附面层内速度分布的影响规律，对涡流发生器尾涡强度以及沿流向的发展规律进行了初步探讨．结果表明，涡流发生器产生的尾涡能够有效改善附面层内的速度分布，进而减小附面层厚度，降低附面层影响；涡流发生器的后缘应略高于当地附面层厚度，安装角度、位置、个数等参数必须合理设计以减小涡流发生器对试验段主气流的影响．基于计算结果初步设计了可用于2．4m跨声速风洞半模试验段的涡流发生器，在亚声速范围内能够减小模型区侧壁附面层厚度66％左右，对核心流Mach数影响小于0．003，为涡流发生器的实际应用提供了依据．

简介：合成了三价态过渡金属取代的钨硅杂多配合物αＳｉＷ１１Ｍｘ－（Ｍ＝ＭｎⅢ、ＦｅⅢ、ＣｏⅢ）的Ｋ（或Ｃｓ）盐，通过元素分析、红外、紫外、可见光谱、循环伏安等手段进行了表征．研究了配合物的热稳定性、水溶液中的酸碱稳定性、催化活性以及磁性，常温和变温（８２Ｋ～２７２Ｋ）磁化率数据表明配合物具有顺磁性特征．

简介：本文导出了二次多项式保凸的充要条件，通过插值部分新节点，得到了一种新的保凸Ｃ＾１分段二镒多项式插值函数。

简介：利用差分方程的渐近概周期序列解，讨论了一类具有逐段常变量微分方程的渐近概周期解的存在性．

简介：本文以邢台临西第二中学高一学生为研究对象，历时1年半，通过统计、调查、测试、图表等方法，对高一阶段的学生作业、教学模式对学习效益的影响进行了分析研究，探求了作业量、教学模式、作业时间及作业内容等问题。

简介：嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚氧化乙烯（PS-b-PEO）甲苯溶液在室温下陈化2个月可形成中间是PEO单晶上下表面为PS具有＂三明治＂结构的方形片层,并且既能形成单层方形片层,也能形成多层方形片层.采用透射电子显微镜手段观察了这种结构在不同水含量的水/甲苯混合溶剂蒸汽诱导后形成的结构形貌.结果证明在甲苯和水蒸汽中,方形片层结构均能稳定存在,不能进行结构重构;而随着混合蒸汽中水含量的增加,单晶溶解、消失,在甲苯和水的共同作用下,可通过结构重构形成新的垂直或平行于表面的柱状相结构.

简介：合成了一系列N-对位与间位取代苯氨基乙酸(RPhG)与Cr(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)的配合物,测定了磁化率、电导及散射-反射光谱,着重考虑了各个光谱的指派,计算出10D_q、B及β等参数,对配合物的结构进行了讨论。