简介：BGA（ballgridarray）球栅阵列封装技术是20世纪90年代以后发展起来的一种先进的高性能封装技术，是一种用于多引脚器件与电路的封装技术。BGA最大的特点就是采用焊球作为引脚，这不仅提高了封装密度，也提高了封装性能。而植球工艺作为BGA封装中的关键工艺将会直接影响器件与电路的性能及可靠性。影响BGA植球工艺的主要因素有：植球材料、植球工艺及回流焊工艺。文章通过对BGA植球的基板、焊膏／助焊剂、焊球等材料的详细介绍，详实阐述了植球工艺过程，并对BGA后处理的回流焊工艺进行了详细描述，提供了BGA植球工艺的检测方法，对植球工艺的可靠性进行了探讨。

简介：在使用表面贴装元件的印刷电路板（PCB）装配中，要得到优质的焊点，良好的锡膏印刷是最重要的因素之一。锡膏印刷是SMT整个工艺中的第一个工程，也可能是最难控制的一个工艺程序。本文就SMT的焊接工艺作出说明，其中的内容有回流炉的分类，各种回流焊接技术，回流炉的特性参数，主要谈论回流温度曲线的设定。

简介：摘要本实验是参照国内某钢厂热处理中心而设计的大型综合热处理车间，其典型产品材料为W18Cr4V高合金工具钢。该设计主要以W18Cr4V高合金工具钢制作拉刀为例，介绍了其热处理工艺流程和工艺参数，并说明了热处理过程中材料组织、结构及性能的变化。对企业现行高速钢退火工艺进行试验研究，制定了高速钢最佳退火工艺，并在实际生产中进行实施。实际生产验证新退火工艺是可行的，它解决了退火后锻件硬度高于工艺规定的质量问题，提高了产品质量，节约了能源。

简介：塞孔印制板制造技术被广泛应用于BVH、IC封装载板、BUP尖端科技领域，而民用电子产品中有手机ECM、电脑主板、数码产品等也广泛应用。由于电子产品和更进一步的小型化，致使集成的密度增长，要求高集成度密度能够采用如下结构参数加以解决之，例如减少焊盘的尺寸、减少导线宽度和导线之间的间距、增加板的层数、放弃不必要的连接层和使用不必要的导通孔所占的基板上的面积等。

简介：3．5厚铜板的拼版及靶标设计3．5．1拼版工艺设计根据产品的几何形状和尺寸大小，按照加工或电装的需要可以按批量生产的工艺程序进行工艺设计。通常多层板的拼版．由于层压时树脂流动量小，除了考虑设备因素外。拼版尺寸越大越好，其利用率比较高；而厚铜板的拼版，则刚好相反，由于厚铜板内层铜较厚，所选用的半固化片树脂含量高。流动性大。采用铆钉铆合式定位。

简介：清洗技术受到全球和地区相关行业上下游技术的影响,并随其不断发展.清洗技术因地而异,不同国家和地区之间的清洗工艺存在一定差别,而这些差别主要是由地方市场因素和法律因素决定的.

简介：本文介绍了应用于金属互联工艺的ARC(抗反射层或防反射层)技术.通过对抗反射层基本原理的说明,结合工艺实验,深刻地理解ARC技术.最后给出了可以用于0.5μm工艺生产的ARC结构及用于衡量ARC性能的参数.

简介：快速更换焊接模块。

简介：

简介：自推出广受用户好评的高清FCB组件FCB．CH3100和FCB—CH4300以来，索尼今年又陆续推出4款高性价比的高清监控摄像机组件一一全高清1080P摄像机组件FCB．CH6300，和720P高清组件FCB．CH3400、FCB．CH3300、FCB．CH3150，进一步丰富了索尼FCBCH系列高清组件产品阵营。

简介：无铅技术带来的改变和影响，在材料上，尤其是焊料上的变化最大。而在工艺方面，影响最大的是焊接工艺。这主要来自焊料合金的特性以及相应助焊剂的不同所造成的。

简介：摘要材料组织的细化处理是同时提高材料强度和韧性最为有效途径。细晶钢能改善并提高钢材低温脆断能力。细化晶粒已成为非常重要的强韧化手段，通过细化奥氏体晶粒从而细化马氏体束尺寸，从而提高钢的强度和韧性，还可以改善钢的耐延迟断裂性能和抗疲劳性能；随着超细晶粒或超细组织的形成，屈服强度大幅度提高，细晶技术已是提高材料强韧性的首选途径。

简介：1：印刷导线宽度选择依据：印刷导线的最小宽度与流过导线的电流大小有关：线宽太小，刚印刷导线电阻大，线上的电压降也就大，影响电路的性能，线宽太宽，则布线密度不高，板面积增加，除了增加成本外，也不利于小型化。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：本文从器件和PCB安装结构发展的趋势出发，探讨了PCB组装工艺未来发展的趋势表面临的挑战，分析了应付这种挑战的对策。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：