简介:以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/CdSxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009mol·L^-1、柠檬酸的浓度为0.025mol·L^-1时,在20℃、2.4V沉积电压下电化学沉积5min,获得的TNTs/CdSxSey异质结光电压值达0.2672V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917V。XRD结果显示,CdSxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片CdS0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的(110)、(112)晶面。根据EDS的数据分析可知,Cd、S、Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜(SEM)显示所制样品为50~100nm量子点。
简介:摘要目的通过分析离心法和虹吸法制备冷沉淀(同批次制备)的质量,选择更加优化的冷沉淀制备方法。方法取同一制备日期的冷沉淀原料血浆,分别采用冷藏融化离心法、水浴融化离心法(两种温度条件)、水浴融化虹吸法制备冷沉淀,分别按照机械抽样法抽样样品,检测冷沉淀中FⅧ含量并进行统计分析。结果4℃冷藏融化离心法的FⅧ含量为65.17±27.39(IU/袋),合格率为40%(8/20);4℃水浴融化离心法的FⅧ含量为89.67±39.96(IU/袋),合格率为60%(12/20);2℃水浴融化离心法的FⅧ含量为84.33±30.57(IU/袋),合格率为55%(11/20);4℃水浴融化虹吸法FⅧ含量为108.85±42.41(IU/袋),合格率为83.3%(25/30)。经单因素方差分析,4℃水浴融化虹吸法的质量水平明显优于其他三种方法。结论水浴融化虹吸法制备冷沉淀操作简便、快捷,FⅧ合格率高,明显优于冷藏融化离心法和水浴融化离心法,值得推广应用。
简介:采用双极性脉冲电源对置于Na2Al2O4溶液中的AZ91D镁合金进行微弧氧化处理,研究了溶液配方和电源参数(包括电压、频率、占空比等)对微弧氧化膜的组成与结构的影响。结果表明:不同的电参数作用下形成的氧化膜的结构是相似的,膜层由内层致密层和外层疏松层组成,其主要物相组成是Mgo和MgAl2O4;不同电参数对膜层的厚度的影响各不相同,随着电压和占空比的增大,膜层增厚速度将加大,而频率的影响则与之相反。
简介:采用高温熔融-退火法在钠硼铝硅酸盐(SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O)玻璃中生长了PbSe量子点,通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致荧光(PL)谱等研究了玻璃配料中不同ZnO含量对PbSe量子点尺寸和浓度的影响,结果表明,ZnO含量占总玻璃配料质量比约9.4%时,生成的量子点尺寸比较均匀,直径约为6.5nm,且浓度较高,PL谱强度最强,辐射峰位于1790nm,FWHM为296nm。玻璃配料中加入适量的ZnO有助于PbSe量子点的形成,减少Se元素的挥发,使玻璃中的量子点尺寸分布趋于均-化。