简介:
简介:一篇小说荧光灯为H2PO4-基于碳dots/Fe3+被设计并且制作合成。碳点被一个确定的一个壶综合热水的方法并且由传播电子显微镜,X光检查衍射计,紫外力的吸收分光计和荧光分光光度计描绘了。碳dots/Fe3+合成被碳点和FeCl3,的水的混合获得,它的荧光性质被荧光分光光度计描绘。碳点的荧光被水的Fe3+阳离子熄灭,导致碳dots/Fe3+的低荧光紧张合成。在另一方面,H2PO4-由化学反应减少了Fe3+的集中并且提高了碳dots/Fe3+的荧光合成。Stern-Volmer方程被介绍描述在合成的碳dots/Fe3+和H2PO4-,和好线性(R2=0.997)在H20.4-12公里的PO4-集中。
简介:ZnMn2为抵抗随机存取存储器(RRAM)的O4电影被磁控管劈啪作响与不同设备结构制作。I-V特征,抵抗切换行为,耐力和ZnMn2O4电影被调查。ZnMn2象底部电极的O4电影,使用的希腊语的第二十三个字母和磅,展出双极的抵抗切换(BRS)行为处于低抵抗状态(LRS)处于高抵抗状态(HRS)和细丝传导机制由space-charge-limited传导(SCLC)统治了机制,但是ZnMn2用底部电极展出双极、单极的抵抗切换行为的n-Si的O4电影在幼虫由Poole-Frenkel(P-F)传导机制控制了Ag/ZnMn2O4/p-Si设备拥有最好的耐力和保留特征,交换周期的稳定的重复的数字在是超过1000,保留时间比106秒长。然而,最高的RHRS/R104的LRS比率和最低V在和V离开3.0的,V在Ag/ZnMn2O4/Pt设备。不过Ag/ZnMn2O4/n-Si设备也拥有最高的RHRS/R104,的LRS比率但是V在,V离开,RHRS和R象差的耐力一样的LRS,并且保留特征。
简介:Na5+xYAlxSi4-xO12superionicconductorsarerhombohedralR3cspacegroup.Theirstructuresarecharacterizedby(Alx/4Si1-x/4)O4tetrahedralinkedtoformpuckered(Al3xSi4-x)4O35ringsparalleltothebasalplaneofthehexagonalcell.Theserings,separatedbypartsofsodiumoxygenpolyhedron,arestackedtoformlargerigidcolumsparalleltocaxis.Thecolumnsarelinkedby[YO6]octahedratoformathree-dimensionalFrameworkwithlargechannelsbetweentherings.PartsofNaionslocatedinthecoresofthecolumnsaremovable.Intermsoftheconductionmechanism,theconcentrationofconductingNa+ionswascarriedoutandcomparedwiththeexperimentalresults.Itwasfoundthatthetheoreticalvaluesaccordwiththeexperimentalresults.
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简介:Inthisstudy,theeffectofmulti-walledcarbonnanotubes(MWCNTs)additiveonthedehydridingpropertiesoftheZn(BH4)2/NaCIcompositepreparedbyhighenergyballmillingwereinvestigated.X-raydiffraction(XRD),Fouriertransforminfraredspectroscopy(FTIR)resultsdemonstratedthatZn(BH4)2wasproducedfrommechanochemicalreactionbetweenZnCI2andNaBH4.Comparedwiththeundopedsample,10wt%MWCNTseffectivelyloweredthedecompositiontemperatureofZn(BH4)2by15℃.Thecomplexreleased3.6wt%hydrogenwithin250sat100℃andtotallyreleased4.5wt%hydrogenwithin2500s,indicatingithasaconsiderablepotentialasahydrogenstoragematerial.
简介:采用HSiCl3—NH3—N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222kJ/mol。随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。
简介:Inthisstudy,Almatrixcompositesreinforcedby7.5and15vol.%B4CparticlesandalsomonolithicAl(AlwithouttheB4Cparticles)wereproducedbywetattritionmillingandsubsequenthotforwardextrusionprocesses.Themicrostructureofthecomposites,evaluatedbyscanningelectronmicroscopy(SEM),showedthattheB4CparticleswereproperlydistributedintheAlmatrix.MechanicalpropertiesoftheAI/B4CcompositesandmonolithicAlwereinvestigatedbytensile,wearandhardnesstests.TheresultsrevealedthatwithincreasingcontentofB4Cparticles,thetensilestrengthandmicrohardnessofcompositesincreasedbuttheelongationdecreased.Inaddition,thetensilestrengthandmicrohardnessofcompositesampleswerehigherthanthoseofmonolithicAl.ThedensitymeasurementsrevealedthatthedensityofcompositesdecreasedwithincreasingcontentoftheB4Cparticles.
简介:通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PVDF—g-PNIPAAm)共聚物,进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学,研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明,在不同凝固浴温度下,PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制,凝固浴温度为30℃时成膜时间最长,40℃时成膜时间最短;不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性,随着凝固浴温度的升高,结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比,PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高,其中,30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构,其中,30℃下所成的膜指状孔最大,孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能,其水通量在30℃附近有显著增加。
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