简介：
简介：制备分析样品的方法：将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；分析杂质的方法：将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；再对分离的物质进行分析；制备高纯磷酸的方法：从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离；制备半导体元件的方法：用磷酸作处理液，该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb，Bi和Po的浓度确定)，不大于10^-3Bq/ml(Bq，贝克勒尔，放射性单位)。
简介：本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件，其制造方法是先生长n型单晶，此单晶含有1．0×10^16个原子／c．c，用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装，生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S，P型CaP可掺杂O或Zn。
简介：磷酸铝可以在低温（180℃）下，用AlCl3和NH4H2PO4为原料，用不同的有机胺做模板剂，用固相合成方法来制备，反应时间较短，约2小时。我们用化学分析，ICP．FTIR和X射线衍射等物理化学分析方法对产品的成分和结构进行了表征。
高速半导体激光器
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