简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-

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简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。

简介：2008年，全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元。液晶电视用半导体的市场规模到2007年有望超过笔记本电脑液晶显示器用半导体。

简介：至2006年中国将超过日本成为世界第二大集成电路市场，到2010年将取代美国成为全球最大的电子产品制造基地和集成电路器件采购国。

简介：湿度敏感器件(MSD)对SMT生产直通率和产品的可靠性的影响不亚于ESD，所以认识MSD的重要性，深入了解MSD的损害机理，学习相关标准，通过规范化MSD的过程控制方法，避免由于吸湿造成在回流焊接过程中的元器件损坏来降低由此造成的产品不良率，提高产品的可靠性是SMT不可推脱的责任。

简介：2003年中国半导体市场达170亿美元，预估5年内市场规模将达到400亿美元，并带动当地晶圆代工市场快速成长。

简介：中国半导体产业首次突破2000亿，今年中国芯片消费市场需求将增长34.9%。

简介：球栅阵列技术已经激起了电子行业的人们强烈的兴趣.随着人们的目光愈来愈多地关注于BGA器件的组装的时候,对BGA器件进行组装时所产生的清洗和干燥的问题受到了人们广泛的关注,各种各样的BGA器件和焊膏需要采用合适的清洗处理方法.

简介：<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

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简介：TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

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简介：2004年亚太区半导体业将增长27．4％，市场总值将由2003年的713亿美元，全球半导体材料设备开支2004年将达到448亿美元，比2003年增长51％。

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：本文从有关环境工程、绿色工程的概念出发,介绍了"绿色"电子元器件生产的发展历程,综合叙述并举例说明了绿色元器件生产管理和技术,提出并展望了元器件生产的"绿"化原则和前景.