简介：判断1:2008年全球LCD芯片市场将达70亿美元由于液晶电视和液晶电脑显示器产品将快速发展,到2008年,全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元.这意味着到2008年,全球LCD芯片销售额将出现17%的复合增长率,而单位出货量将增长29%.LCD半导体市场的快速增长,反映出笔记本个人电脑(PC)显示器面板,台式PC的液晶显示器和液晶电视市场的需求上升.预计笔记本和台式电脑的液晶显示器市场规模亦将自1176亿台增至2.264亿台.

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简介：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：<正>日前,批量成像设备供应商得可公司(DEK)大中华区电子组装部总经理黄俊荣表示,随着海外制造工厂向大陆转移,中国大陆电子制造业机会无限,得可对中国市场亦重视有加。不过,中国仍以中小型制造企业居多,SMT大型企业较少,整体制造品质不高。

简介：皇家飞利浦电子公司日前采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％。

简介：<正>日前,欧洲半导体分销和制造协会DMASS表示,2004年第二季度欧洲电子元器件分销总值为12.2亿欧元,比上年同期增长18.8%,比第一季度增长1%。在四个规模较大的市场中,法国增长速度最快,增长率为21.8%,德国为17.2%,意大利为12.3%,以及英国为6.9%。从产品类型上看,存储器产品独领风骚,在2004年第二季度涨幅达到50%

简介：微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性，失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性，从而提高整机系统的质量与可靠性。同时，失效分析工作会带来很高的经济效益，对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面：固有缺陷和使用不当，固有缺陷由生产方引起，使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类，文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。

简介：文章通过研究表明，密封元器件内部气氛中的氢气对镓、砷化物或硅器件的可靠性有长期的影响，钛氢化合物的形成可以造成GaAs器件物理变形，进而导致器件失效。试验分析表明，密封元器件内部氢气主要来自封装金属基底中吸附的气体，这些气体在热应力条件下扩散到腔体内部。试验证明在元器件封装前对封装材料进行排气处理，可以有效地将材料中的氢气释放。通过对可伐合金在不同条件排放的氢气含量的测量与分析，进一步验证了腔体内部氢气的来源，并得出随着热应力时间的延长，氢气的排放量有增长趋势的结论。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：介绍了"黑斑"和"气泡"造成的有机发光二极管失效的过程,对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析.

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：文章通过C-SAM、X-RAY、SEM等对分层样品做了系统分析，发现了分层的机理以及分层对器件的破坏机理。研究表明：分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面，并有向整个芯片区域延伸的趋势；应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏，而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区，同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区，使互连发生短路而损坏器件。

简介：SIPLACE团队（西门子电子装配系统有限公司）宣布推出一款全新软件SIPLACEalternativeComponents（SIPLACE替代料解决方案），用于支持电子制造商为每个贴装位置定义多种替代料。

简介：本文概述了光子晶体光纤的三个突出的优点：单模传输特性、高非缌№故应和可控群速度色散特性。在此基础上，讨论了光子晶体光纤在多波长光纤激光器，光参量放大器和超连续谱产生中的应用，同时介绍了在各应用领域中的优势。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其QUADHIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad2525外形尺寸的器件。QUADHIFREQ2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018Ω的超低ESR,直流电压高达3600V。该VishayVitramon器件基于极为稳定的陶瓷电介质,具有很高的串联谐

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