简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：本文就运用于某型号雷达中，微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3，进行了性能及特点介绍。在此基础上，对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28，制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术，进行了较为详细的介绍。最后，还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述，其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术，以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：6月4日，欧盟官方公报（OJ）发布RoHS2．0（修订指令（EU）2015／863，正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中，至此附录II共有十项强制管控物质。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：2009年11月30—12月1日在北京召开了国家标准基金项目草案研讨会暨国家标准修订项目审定会。出席本次会议的有：全国印制电路标准化技术委员会陈长生主任委员、朱民副主任委员、姜培安顾问、陈应书顾问、安捷利电子实业有限公司黄奔宇高工、珠海元盛电子科技有限公司饶国华工程师、深南电路有限公司彭锦强工程9币、肖蓉工程师、中国航天科技集团公司九院200厂暴杰副总师、工信部电子四所曹易工程师、工信部印制板质量监督检验中心楼亚芬主任、中电十五所保建勋高工、郭晓宇工程9币、盛菲工程师、殷春喜工程师等。

简介：在湖北黄石开发区的牵线搭桥下，沪士电子股份公司与湖北城市职业学校、湖北机械工业学校（黄石职业技术学院）签订校企合作协议。协议规定，今年9月，沪士电子将与这两所职校共同开办“沪士电子班”，正式开启工学结合的“订单式”定向培养模式。去年11月，沪士电子股份有限公司PCB项目正式落户黄石开发区，预计今年6月开工建设，2014年实现投产，远期用工需求将达到一万人。为保证两年后黄石公司的正常生产，沪士公司率先启动了人才培训计划。

简介：SiFive日前宣布成都锐成芯微已正式加入日益壮大的DesignShare生态系统。成都锐成芯微为DesignShare项目提供超低功耗模拟IOT解决方案和LogicFlash——高可靠性嵌入式MTP存储方案，该方案可提供100k擦写次数，150℃下具备10年数据保持能力。

简介：随着经济的飞速发展，社会的进步，人们对电子科技产品的需求越来越丰富，而企业之间的竞争越来越激烈，重视客户需求并实现“短平快”交付是企业竞争力的一个重要表现。在电子产品PCB设计中，优化设计流程，将产品串行设计更改为并行设计，是缩短产品开发周期的一个有效方案。文章通过流程更改、软件选择、协作方案等方面进行分析，讨论各要素在产品设计“短周期”上的作用，可为项目实现“短平快”目标提供参考和借鉴。

简介：中国玻纤近日公告称，其控股子公司巨石集团有限公司与德国P—D集团公司拟共同投资年产5000万米玻璃纤维电子布项目。该项目投资总额预计为5700万美元，其中注册资本为2600万美元，双方各占50％，项目建设期预计为一年。

简介：10月17日下午,中京电子ERP升级项目启动大会在公司多功能厅隆重举行。中京电子总裁刘德威先生、副总裁余祥斌先生、中科技总经理刘德林先生、总裁办主任罗春晓女士以及ERP项目公司的相关领导、中京电子各部门负责人等50余人参加了会议。

简介：近日，由国民技术牵头，联合武汉天喻、深圳大学共同承担的国家科技重大专项“双界面金融卡SoC芯片研发与产业化项目”顺利通过“核高基”课题验收，成为我国首家通过此类课题的项目承担单位。

简介：ANSYS和Esterel日前宣布他们已正式签署协议，由ANSYS出资4，200万欧元（大约5，300万美元）现金收购EsterelTechnologies，并在收购结束时进行一定的流动资金调整。协议包含要求关键管理层成员和员工继续为公司工作的条款。

简介：7月1日，“通过环境无害化管理减少电器电子产品持久性有机污染物和持久性有毒化学品排放全额示范项目”在北京正式启动。环境保护部对外合作中心副主任余立风在启动会上说，随着科技快速发展，电子新产品不断出现，电子废物处理也必须重视科技前沿、

简介：10月17日下午,遂宁市国家级遂宁经济技术开发区与康佳集团股份有限公司(简称“康佳集团”)正式签署项目投资协议:据悉,康佳集团在遂宁经开区投资约100亿元人民币,打造产业链条完善、配套能力强劲、功能配置完善的电子科技产业园。项目分两期建设完成,自项目动工之日起的6年内完成项目的投资建设。

简介：6月21日上午，黄石市开发区举行重点项目集中开工暨投产仪式，5．5亿元的星河电路项目、投资1亿元的星光电子项目与4亿的黄石西普电子线路板项目集中投投产。

简介：3月30日，九江经济技术开发区举行总投资近2011元三大项目集中签约仪式。据了解，此次签约的三大项目是开发区新能源、新材料、电子电器三大产业链条中重要的关节点项目，分别是由广深电路集团投资6亿元、年产1200万张覆铜板项目；由文明达电子有限公司投资10亿元、年产200万平方米智能芯片载板项目；由台湾客商投资6000万美元、年封装8000万颗大功率LED、10万根纳米碳管项目。这三个项目的签约入驻，将进一步延伸产业链条，推动开发区主导产业的集聚发展。

简介：“泉州芯谷”南安园区三安高端半导体项目近日正式开工建设。泉州市委书记郑新聪带队到现场检查开工建设情况。据了解，全面启动的三安高端半导体项目，投资总额333亿元（含公共配套设施投资），是在国家集成电路产业投资基金和华芯投资管理公司的帮助支持下，落户“泉州芯谷”南安园区的首个百亿元龙头项目。项目包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目，高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目，大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等七大产业集群，预计全部项目五年内投产，七年内达产。