简介:英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。
简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。