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  • 简介:固定频率AC-DC的PWM芯片广泛应用于低功率电源中,并一直是业界研究的热点技术。本文概论精确控制此类芯片的输出过功率的三种方法,(1)减小过流保护(OverCurrentProtecting,简称OCP)的延迟时间T_d,(2)调整OCP的电压阈值和(3)同时调整延迟时间和电压阈值,通过计算分析其优缺点,为芯片的OCP过功率设计提供了技术细节参考。

  • 标签: PWM芯片 OCP 功率限制 延迟时间
  • 简介:SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。

  • 标签: 功率芯片 SIC 高绝缘击穿电场强度
  • 简介:摘要:随着社会经济的快速发展和环保意识的增强,人们对节能减排提出了更高要求。由于环境污染和资源枯竭问题,全球各国都在加大力度研发新型节能减排技术。而功率半导体芯片作为现代电子设备的心脏,也被寄予了厚望。在这样一个背景下,功率半导体芯片行业经历了技术、市场等一系列的变化。本文分析了功率半导体芯片的发展道路与应用方式,为相关人员提供了一定的借鉴意义。

  • 标签: 功率半导体芯片 制造方式 分析方法
  • 简介:功率开关管(简称MosFET)是开关电源的核心器件,这里讲的MOSFET可以是分立的,也可以集成在LED驱动芯片之中。首先阐述分立式MOSFET散热器的设计方法、注意事项及设计实例;然后介绍通过计算平均功耗来完成单片LED驱动电源散热器设计的方法,并给出设计实例。

  • 标签: 功率开关管 LED驱动电源 散热器 平均功耗
  • 简介:全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

  • 标签: 分层 全包封 芯片
  • 简介:<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

  • 标签: 双芯片 PowerPAIR VISHAY 不对称 独家供应商 系列产品
  • 简介:摘要:功率半导体芯片的发展之路,需要一个相对较长的周期。从早期的硅基 IGBT,到后来的 MOSFET、 GTR,再到现在的 IGBT和 SiC,其发展历史是从硅材料向化合物半导体材料转化、从二极管结构向多结器件结构转化,以及从单一产品到多品类产品转变。随着社会经济的快速发展和环保意识的增强,人们对节能减排提出了更高要求。由于环境污染和资源枯竭问题,全球各国都在加大力度研发新型节能减排技术。而功率半导体芯片作为现代电子设备的心脏,也被寄予了厚望。在这样一个背景下,功率半导体芯片行业经历了技术、市场等一系列的变化。

  • 标签: 功率半导体芯片 制造 方法
  • 简介:传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

  • 标签: RF LDMOS 槽型sinker 击穿电压 功率增益 漏极效率
  • 简介:如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的IGBT,其应用范围可以达到150A-3600A,1200V-6500V,并且可以为用户的专门用途进行预置。

  • 标签: 功率MOSFET IGBT 栅驱动器 通用芯片 高压大电流 开关特性
  • 简介:摘要与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。

  • 标签: 功率型LE D 倒装焊结构 散热性能 热阻
  • 简介:摘要:绝缘体上硅是半导体器件演变过程中技术革新的关键一环,为芯片的创新与发展带来契机。高性能芯片的出现让大部分业内器件制造商更加青睐绝缘体上硅材料,同时不断完善技术,致力于运用集成技术制造体积更小、损耗更低的半导体芯片。本文将详细分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺流程,分析其可靠性,总结对目前技术的创新办法,为相关技术应用提供参考。

  • 标签: 绝缘体上硅 功率半导体 单芯片集成
  • 简介:<正>日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

  • 标签: 器件模型 模组 碳化硅材料 电力电子电路 市场领先者 硅器件
  • 简介:【摘要】本文说明大功率车用音频功放集成电路芯片TDA7375A的技术参数特点,探讨该芯片在音频功率放大领域的应用及注意事项,为相关的设计和使用技术人员提供参考。

  • 标签: TDA7375A 集成电路 汽车音响 音频功率放大
  • 简介:我忽然产生了一种想要了解自己外在形象的冲动。在公元2200年,这个想法简直有点不切实际——存活了千年的镜子已经被淘汰了——谁还愿意把自己抽离虚拟世界来照一下镜子呢?

  • 标签: 家政公司
  • 简介:芯片与电镀有关,这是真的吗?是的,是真的。一直以来,由于电镀业属于有污染物排放的行业,其发展受到诸多限制,不要说发展,电镀产业的生存都是个问题。以至于有人将电镀行业归为"夕阳工业",认为是要被淘汰的产业。这种误解源于缺乏对电镀技术的了解。

  • 标签: 电镀业 芯片 电镀行业 污染物排放 电镀技术 产业