简介:摘要本文对比分析了GaN器件,CoolMOS和SiC二极管的开关损耗,并将图腾PFC和市场主流的H桥PFC进行对比研究。通过两台实验样机研究了GaN器件直接替换CoolMOS后的效率改善,也对比了两种拓扑都使用GaN器件的效率差异,对现有GaN器件的整体性能进行了评估。最后,都使用工频整流对两种PFC拓扑的效率提升空间进行了探索。
简介:针对五开关级联H桥逆变器提出一种新的调制策略,该调制策略是在载波移相原理的基础上,对调制波与载波比较得到的脉冲信号作进一步的处理,之后作为开关器件的脉冲触发信号。采用该调制策略,不仅能够实现载波移相调制的功率均衡效果,而且能够达到载波移相调制的良好消谐效果,最后通过MATLAB/simulink搭建了三单元五开关级联H桥逆变器仿真模型,通过仿真结果验证了理论分析的正确性。