简介：摘要：

简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出高效率、3MHz同步降压型稳压器LTC3602，该器件采用恒定频率、电流模式架构。LTC3602采用4mm×4mmQFN（或耐热增强型TSSOP-16）封装，在输出电压低至0．6V时能提供高达2．5A的连续输出电流。该器件用4．5～10V的输入电压工作，非常适用于两节锂离子电池应用以及通用的固定电压轨系统。

简介：随着电子元器件的小型化，高集成度的发展，电子组装技术也经历了以下几个发展阶段，手工（50年代）——》半自动插装浸焊（60年代）——》全自动插装波峰焊（70年代）——》SMT（80年代）一》窄间距SMT（90年代）——》如今的超窄间距SMT。

简介：从焊点的可靠度来讲，空洞现象会给焊点抗疲劳性带来不可估计的风险，比较严重的话，还影响焊点的电气连接与电路导通，所以空洞现象必须引起SMT业界人士的高度重视，了解引起空洞的原因。

简介：封装技术对LED性能的好坏、可靠性的高低，起着至关重要的作用。LED要作为光源进入照明领域，必须比传统光源有更高的发光效率、更好的光学特性、更长的使用寿命和更低的光通量成本。

简介：跨学科合作将是提高性能和降低成本的关键全球化、外包和其他相关现象对产品开发机构提出了严峻的挑战,比如如何加快产品投入市场的时间,如何在后期根据市场变化或客户需求来迅速调整前期的设计以及如何不断地利用设计创新来降低生产成本等。

简介：QFN封装（QuardFlatNo—lead方形扁平无引脚封装）具有良好的电性能和热性能、体积小、重量轻，其应用正在快速增长。QFN的封装和CSP有些相似，但元件底部没有焊球．与PCB的电气和机械连接是通过PCB焊盘上印刷焊膏、过回流焊后形成的焊点来实现，对PCB焊盘设计和表面贴装工艺提出了一些新的要求。印刷网板设计、焊后检查、返修等都是表面贴装过程中应该特别关注的。

简介：摘 要：QFN器件由于具有良好的热性能和电性能、体积小、重量轻，其应用正在快速增长。本文对QFN器件的特点进行了分析，探索了返修工作站对QFN器件的拆卸和焊接方法技巧，总结了其控制要点。

简介：摘要

简介：摘要：本文简述了QFN芯片组装过程中各环节的要求，对焊接后的焊点检测及返修的注意事项。

简介：摘要：为保证saw type dual row QFN封装后侧面管脚间隙，降低SMT上板由侧面金属毛刺引起的短路风险，本文对DR QFN切割后通过化学药剂蚀刻去铜毛刺展开研究。研究发现，使用酸性化学药剂浸泡的方式可以有效去除切割过程中金属毛刺，并且通过工艺参数DOE得到了最佳的工艺参数范围。

简介：

简介：摘要: 本研究探讨了电子元器件的封装及封装技术的创新。电子元器件的封装是保护和连接电子芯片的重要过程，对于电子产品的性能和可靠性起着关键作用。随着科技的进步和市场需求的变化，传统封装技术已经面临一些挑战，需要不断创新来提高封装效率和质量。本研究提出了几个封装技术创新的方向，包括三维封装技术、薄型封装技术和可重配置封装技术。这些创新技术能够提高电子元器件的集成度、减小封装尺寸、提高散热效果以及降低生产成本。通过深入研究和实验验证，这些封装技术创新有望在电子行业中得到广泛应用，推动电子产品的发展和进步。

简介：摘要：

简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

简介：NedCard推出MicroSON-3SMD,采用NXP的兼容UHFGen2v2的UCODE8和UCODE8mRFID芯片.MicroSON-3是一种小型无引线（SON）SMD封装,可通过PCB板嵌入到工业应用中.

简介：

简介：摘要：OLED封装技术对元器件的效率维持和期限的增加具备很重要的作用。高效的封装技术能使元器件使用寿命大大提高，在其中封装材料和封装行使方式也起到了非常重要的作用。OLED常见的封装行使方式，包含后盖板封装形式、塑料薄膜封装形式、Frit封装形式等。

简介：随着电子行业的飞速发展，表面贴装元件向着密集、精密、细小的方向发展，使用的元器件种类也越来越多QFN封装形式具有以下的优点：无引线，降低了引脚间的自感系数，有利于高频电路；中间大面积裸露焊盘，使元件本身具有很强的散热能力；同时，四周I／O焊端使PCB布线录活方便，方便布线工程师工作。由于QFN元器件具有这些优点，其近年来得到大量应用，在元件封装中比率越来越大。但是，许多公司对该类型封装认识不足，造成良品率低、生产效率低下和返修量大的问题。本言语从实践中总结了QFN三个方面的焊接或设计缺陷供大家参考。

简介：文章介绍了QFN72和CQFN72结到外壳的等效热路分析及结到外壳热阻θJC的简化计算方法,结果表明原设计下CQFN72的热阻约为1.25K·W-1,几乎是QFN72的一倍。优化CQFN热设计的主要途径是适当减薄陶瓷基板厚度、在陶瓷基板中嵌入钨柱阵列、芯片减薄和采用金基焊料焊接等。从CQFN热设计考虑,不应在主散热区热沉下采用4J29或4J42焊接垫片,否则会使热阻θJC增大10%以上。